參數(shù)資料
型號： OL2311AHN
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 微波射頻器件
英文描述： Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver
封裝： OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 68/122頁
文件大小： 4034K
代理商： OL2311AHN
69
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
重
Function
Type
f
(MHz)
f
(MHz)
P1dB
(W)
Package
Planned
release
Description
HPA
BLP05H6100P
1
500
100
SOT1138
Q112
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP05H6500P
1
500
500
SOT1138
Q411
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP05H650P
1
500
50
SOT1138
Q112
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP09H620
700
960
20
SOT1138
Q112
Gen6 high-voltage OMP LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP10H6120
700
1000
120
SOT1138
Q411
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP10H6120P
700
1000
120
SOT1138
Q411
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP10H6300P
700
1000
300
SOT1138
Q411
Gen6 high-voltage OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP10H6xx
1
1000
3, 5, 10
SOT1179
Q311
Gen6 high-voltage OMP LDMOS driver transistor family for broadcast/ISM applications
BLP15M6100P
1200
1500
100
SOT1138
Q112
Gen6 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP15M630
1200
1500
30
SOT1138
Q112
Gen6 OMP LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP15M660P
1200
1500
60
SOT1138
Q411
Gen6 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP15M7150P
1200
1500
150
SOT1138
Q112
Gen7 OMP push-pull LDMOS transistor for broadcast/ISM applications
BLP15M7xx
1
1500
3, 5, 10
SOT1179
Q411
Gen7 OMP LDMOS driver transistor family for broadcast/ISM applications
BLP25M710
1
2500
10
SOT1179
Q211
Gen7 OMP LDMOS driver transistor for broadcast/ISM applications
BLP25M74
1
2500
4
SOT1179
Q311
Gen7 OMP LDMOS driver transistor for broadcast/ISM applications
BLP7G10S-140P
700
1000
140
SOT1138
Q311
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLP7G10S-140PG
700
1000
140
SOT1204
Q311
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
BLP7G10S-25P
700
1000
25
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLP7G10S-25PG
700
1000
25
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
BLP7G10S-45P
700
1000
45
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLP7G10S-45PG
700
1000
45
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
BLP7G20S-45P
1800
2000
45
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications
BLP7G20S-45PG
1800
2000
45
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for GSM & LTE applications (gull-wing)
BLP7G21S-140P
1800
2050
140
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for TD-SCDMA applications
BLP7G21S-140PG
1800
2050
140
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications (gull-wing)
BLP7G22-10
1800
2200
10
SOT1179
Q311
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA & GSM applications
BLP7G22S-140
2000
2200
140
SOT1138
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications
BLP7G22S-140G
2000
2200
140
SOT1204
Q411
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications (gull-wing)
BLP7G22S-45P
2000
2200
45
SOT1138
Q112
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications
BLP7G22S-45PG
2000
2200
45
SOT1204
Q112
Gen7 OMP LDMOS transistor for WCDMA applications (gull-wing)
2.6.3
完整的恩智浦
RF
功率晶體管產(chǎn)品系列：采用塑料封裝的產(chǎn)品
(OMP)
恩智浦最近在開發(fā)過膜塑料
(OMP)
封裝
RF
功率晶體管產(chǎn)品線和
MMIC
產(chǎn)品，峰值功率范圍為
3 W
到
500 W
。這些塑料封裝的主要優(yōu)勢是成本低廉，對性能影響很小或沒有影響。這一系列塑
料設備可讓
RF
功率產(chǎn)品形成完整、豐富的產(chǎn)品線，之前的恩智浦陶瓷封裝產(chǎn)品適用于所有頻率
和應用，最高可達
2.45 GHz
。
研發(fā)中的產(chǎn)品包括
`
用于
HSOP
封裝的單級寬帶驅(qū)動器，功率從
3 W
到
10 W
`
單級
OMP
驅(qū)動器，功率從
25 W
到
45 W
，替代目前的陶瓷版，
以用于對成本敏感的應用
`
雙極
MMIC
，功率從
30 W
到
60 W
，可作為高增益驅(qū)動器使用或
配合低功率雙極
Doherty
放大器使用。
`
全集成即插即用型單封裝
Doherty PA
(
50
到
100 W
)
`
OMP
封裝最終晶體管 (
SOT502
尺寸)，功率范圍
140 W
到
200
W
，頻率波段范圍
730 MHz
到
2.2 GHz
。
`
OMP
封裝最終晶體管 (
SOT502
尺寸)，功率范圍
3 W
到
500
W
，
ISM
應用頻率波段范圍從非常小到
2.45 GHz
。
某些產(chǎn)品目前只提供樣品，其他產(chǎn)品組合將于
2011
年大批量供貨。
相關PDF資料
PDF描述
OL2381AHN Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver
OL3216TC-DPG CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDA23TZ-WPG REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDPM8T1-L1G MOLDING TYPE SMD LED LAMPS
OLS133TR-DPG SURFACE MOUNT LED LAMPS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
OL2311AHN/C0B,515 功能描述:射頻接收器 Single-chip sub 1GHz RF receiver RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:GPS Receiver 封裝 / 箱體:QFN-24 工作頻率:4.092 MHz 工作電源電壓:3.3 V 封裝:Reel
OL2381AHN/C0B,515 功能描述:射頻收發(fā)器 Single Chip 1-GHz 射頻收發(fā)器 RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray
OL2381AHN/C0B515 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
OL2385AHN/00100Y 功能描述:RF WIRELESS PLATFORM UHF 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標準:- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標準包裝:1
OL2385AHN/001A0Y 功能描述:LOW-POWER MULTI-CHANNEL UHF RF W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標準:- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標準包裝:1
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