參數(shù)資料
型號(hào): OL2311AHN
廠商: NXP Semiconductors N.V.
元件分類: 微波射頻器件
英文描述: Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver
封裝: OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,;
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代理商: OL2311AHN
52
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
全集成式
Ku
波段下變頻器
TFF101xHN
TFF101xHN
是應(yīng)用于
Ku
波段
LNB
的全集成式下變頻器系列。它
們能夠提供最佳
RF
性能,包括相位噪聲
增益以及最低電流消耗時(shí)
的噪聲系數(shù)。
適應(yīng)于
LNB
Ku
波段下變頻器
TFF101xHN/N1
`
典型應(yīng)用:通用單頭
LNB
和雙頭
LNB
`
超低電流功耗:通過
PVT
54 mA
`
只有
7
個(gè)外部組件
`
無外帶電感
`
單一電源:
5 V
`
使用低成本
25 MHz
晶體
`
PL1dBo = 3 dBm / 3OIPo = 13 dBm
`
最佳
PN < 1.8 deg RMS
- 10 kHz
13 MHz
集成帶寬
`
多種增益類型可選
- TFF1014HN/N1 36 dB
- TFF1015HN/N1 39 dB
- TFF1017HN/N1 42 dB
- TFF1018HN/N1 45 dB
`
不同頻率下的平坦增益
(< 2 dBpp)
`
輸入和輸出匹配
50 Ω
`
小無引腳
DHVQFN16
封裝
(
2.5 x 3.5 x 0.85
毫米)
BFU710F/730F RF
晶體管
BFU710F
BFU730F
是寬帶
RF
晶體管,可在
Ku
波段
DBS LNB
中用作
LNA
或混頻器。在這兩個(gè)應(yīng)用中,它都能提供低功耗、良好的
噪聲和線性度,與
GaAs pHEMT
解決方案相比具有最低的功耗
有硅的成本優(yōu)勢。
BFU710F
作為
LNA
用于
Ku
波段
LNB
`
典型應(yīng)用:適用于單輸出
LNB
LNA2
`
整體
RF
性能與
GaAs pHemt LNA
相似
`
功耗:
3.5 mA
`
單電源:
3/5/6 V
`
RF
增益:
13.5 dB
`
低噪聲系數(shù):
1.6 dB
`
線性度
(OIP3)
12 dBm
2.3.2
適用于所有
LNB
架構(gòu)的全套衛(wèi)星產(chǎn)品系列
恩智浦衛(wèi)星
LNB
設(shè)備
TFF101xHN
、
BFU710F/730F
BGA28xx
設(shè)計(jì)用于
LNA
、混頻器和
IF
放大器,這些耐用、小封裝產(chǎn)品是恩智浦衛(wèi)星
LNB
架構(gòu)領(lǐng)先產(chǎn)品系列的新成員。它們是
采用恩智浦全新的
QUBiC4X SiGe:C 。 QUBiC4+
工藝技術(shù)制造。
BFU710F
作為混頻器用于
Ku
波段
LNB
`
典型應(yīng)用:用于單輸出
LNB
的有源混頻器
`
單電源:
3/5/6 V
`
低功耗:
2.5 mA
`
LO
加載
< 0 dBm
`
SSB
噪聲系數(shù)
< 8 dB
(包括輸入的
BPF
)
`
SSB
轉(zhuǎn)換增益
< 5 dB
(包括輸入的
BPF
)
`
線性度
(OIP3) > 0 dBm
`
LO-RF
隔離最低
20 dB
`
RF
匹配超過
10 dB
`
IF
匹配超過
8 dB
BFU730F
作為
LNA
用于
Ku
波段
LNB
`
典型應(yīng)用:適用于多個(gè)輸出的
LNB
LNA2
LNA3
`
整體
RF
性能與
GaAs pHemt LNA
相似
`
功耗:
11 mA
`
單電源:
3/5/6 V
`
極高
RF
增益:
11.5 dB
`
低噪聲系數(shù):
1.25 dB
`
線性度
(OIP3) > 17 dBm
`
回波損耗
> 10 dB
MMIC BGA28xx
作為
IF
放大器 (第一級(jí)和輸出級(jí))
為了與現(xiàn)有設(shè)計(jì)兼容,該系列使用市場標(biāo)準(zhǔn)封裝:
SOT363
和引腳一
致的
SOT363F
封裝。該引腳定義與恩智浦現(xiàn)有的增益塊系列一樣,
并且模塊提供相似的噪聲系數(shù)。新產(chǎn)品特點(diǎn)包括更平坦的增益、積極
的增益斜率、與
Icc
相比改進(jìn)了
P1dB
,并且不需要外加輸出電感。
`
內(nèi)部匹配至
50 Ω
`
增益斜率
> 0.5 dB
`
單電源電壓:
3.3
5 V
`
反向隔離:
> 30 dB
,高達(dá)
2 GHz
`
最好的線性度和電流消耗
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OL2381AHN Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver
OL3216TC-DPG CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDA23TZ-WPG REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDPM8T1-L1G MOLDING TYPE SMD LED LAMPS
OLS133TR-DPG SURFACE MOUNT LED LAMPS
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參數(shù)描述
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OL2381AHN/C0B,515 功能描述:射頻收發(fā)器 Single Chip 1-GHz 射頻收發(fā)器 RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray
OL2381AHN/C0B515 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
OL2385AHN/00100Y 功能描述:RF WIRELESS PLATFORM UHF 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):在售 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK,F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率(最大值):- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲(chǔ)容量:- 串行接口:SPI,UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
OL2385AHN/001A0Y 功能描述:LOW-POWER MULTI-CHANNEL UHF RF W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶(CT) 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK,F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率(最大值):- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲(chǔ)容量:- 串行接口:SPI,UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1