參數(shù)資料
型號： OL2311AHN
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 微波射頻器件
英文描述： Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver
封裝： OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,;
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代理商： OL2311AHN
59
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
重
RF
輻射并非醫(yī)療領域的新技術。此技術目前用于
MRI
(磁共振
成像) 和
EPRI
(電子順磁共振波譜成像) 成像中，這些技術使
用的頻率約為
500 MHz
。另外，讓皮膚恢復活力或緩解肌肉疼
痛的知名外部熱處理使用的頻率在
480 kHz
左右
—
對于
RF
來
說要求不算苛刻。切除同時凝結血管的手術設備使用的
RF
頻率
約為
5 MHz
。后一種技術屬于快速增長的治療技術，這種技術
使用
RF
輻射，在身體局部儲蓄能量
—
通常為“熔化” (移除)
不需要的組織。在身體內部，
RF
能量能加熱周邊組織，直至其
變干和/或壞死。損壞的組織隨后被周圍的活組織吸收。
RF
切
除的其他應用例子包括肺部、腎臟、胸部、骨和肝臟的癌癥治
療，移除曲張血管，治療心率不齊，這些應用能從
RF
的高控制
性和反饋中受益。
RF
的另外一個優(yōu)勢是能通過小導管頭天線將
RF
信號輸送到所
需地方。和舊式直流技術不同的是，只有天線周圍的組織被加
熱。鄰近的神經 (和心臟) 不會受到干擾。此技術已經發(fā)展成
各種專用導管，在微創(chuàng)手術中使用，同時配合超聲波或
X
光成
像，以確定
RF
有源部分的精確位置。在治療過程中，周圍組織
的阻抗可以得到監(jiān)控，并確定終點。通過合適的導管，醫(yī)生還
能實現(xiàn)“自動限制”功能，減少干燥組織吸收的
RF
能量。與此
類似，
RF
頻率可用于調整導管的能量分布區(qū)域：含水組織中頻
率越高，穿透深度越小
— RF
能量就越小。
隨著
RF
頻率和功率變得越來越高，
RF
發(fā)生器的復雜程度和
設備技術要求也變得更嚴格。例如
10 MHz
以上高達
3.8 GHz
可選的功率放大器為
Si LDMOS
(橫向擴散金屬氧化物半導
2.5
工業(yè)、科學與醫(yī)學
(ISM)
2.5.1
由
RF
功率驅動的醫(yī)療應用：從成像到癌癥治療，靈活和多樣化的技術供醫(yī)生使用
體)。這種技術在基站、雷達系統(tǒng)、廣播發(fā)射器和其他工業(yè)、
科學和醫(yī)學
(ISM)
應用中已經證明了其強大、高效和耐用的特
性。
LDMOS
最高電壓可達
50 V
，單個設備功率高達
1,200
W
，擁有超強的耐用性、高增益和高效率。為了驅動和控制
LD-
MOS
功率放大器的級別，我們在設備中使用電壓控制振蕩器、
鎖相環(huán)和中等功率放大器。這些
RF
信號產品鏈的組成部分方便
獲取，以可靠、大批量
SiGe:C (QUBiC)
半導體技術為基礎。更
進一步來說，設計人員可以使用高速轉換器來控制數(shù)字域的所
有信號鏈，實現(xiàn)完全和更便捷的實用
RF
外形和模組控制。
RF
應用
這些現(xiàn)場醫(yī)療應用和大多數(shù)
ISM
應用，通常在使用循環(huán)中形成
高度不相配
RF
負載。這種情況反過來說，如果沒有防護或其
他措施，所有
“
注入式
”RF
功率會反射回放大器的最后一級，
需要在晶體管中散逸掉，如果持續(xù)時間長的話很可能會損壞設
備。
LDMOS
晶體管設計非常堅固，能經受住這些不匹配情況，
不會老化。
在不匹配或極短脈沖上升或下降的環(huán)境中，設備的耐用性，或
設備抵抗“惡劣”
RF
環(huán)境的能力對確?？煽康脑O備性能必不可
少。
RF
功率產品能長時間使用，擁有最佳的耐用性。這些技術
在開發(fā)階段已經過最嚴苛的耐用性測試，尤其是
50V
技術。寄
生雙極基級電阻和
LDMOS
設備的漏級延伸在其中扮演著重要
角色。這種耐用性和功率密度及高效率使得
LDMOS
成為
RF
功
率放大器 (頻率高達
3.8 GHz
) 的首選技術。
RF
技術正在進入越來越多的醫(yī)療應用領域，從眾所周知的低頻成像技術 (
MRI
、
EPRI
)、外部熱處
理、電外科工具到微創(chuàng)內窺鏡癌癥治療 (
RF
切除)。一個明顯的趨勢是
RF
切除技術發(fā)揮的作用不
斷增加。另外一個趨勢是使用更高的
RF
頻率 (幾
GHz
) 和更高功率
(> 100 W)
的工具，從而實
現(xiàn)更好的三維清晰度、更好的控制和更短的治療時間。
相關PDF資料
PDF描述
OL2381AHN Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver
OL3216TC-DPG CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDA23TZ-WPG REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDPM8T1-L1G MOLDING TYPE SMD LED LAMPS
OLS133TR-DPG SURFACE MOUNT LED LAMPS
相關代理商/技術參數(shù)
參數(shù)描述
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OL2381AHN/C0B,515 功能描述:射頻收發(fā)器 Single Chip 1-GHz 射頻收發(fā)器 RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據速率:2000 Kbps 調制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray
OL2381AHN/C0B515 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
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OL2385AHN/001A0Y 功能描述:LOW-POWER MULTI-CHANNEL UHF RF W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標準:- 協(xié)議:- 調制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標準包裝:1
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