參數(shù)資料
型號： OL2311AHN
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 微波射頻器件
英文描述： Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver
封裝： OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 65/122頁
文件大小： 4034K
代理商： OL2311AHN
66
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
2.6
技術(shù)
2.6.1
采用
GaN
技術(shù)使無線基礎(chǔ)設(shè)施效率提高并降低成本
恩智浦
RF Power
的
GaN
技術(shù)
最新的氮化鉀
(GaN)
技術(shù)是合作開發(fā)努力的結(jié)晶。它將使下一代無線通訊中的大功率放大器具有非常高的效率。
特點(diǎn)
`
功率密度可比
Si LDMOS
高五倍
`
工作在
50 V
`
高增益
`
高效率
`
高可靠性
`
低寄生參數(shù)
主要優(yōu)勢
`
高頻率與高功率相結(jié)合
`
寬帶操作：使單個(gè)功率放大器在多個(gè)頻段工作
`
使下一代、高功率、開關(guān)模式功率放大器
(SMPA)
架構(gòu)更好實(shí)現(xiàn)
`
更低的系統(tǒng)成本和操作費(fèi)用
`
最適用于塔頂基站
應(yīng)用
`
移動(dòng)電話基站
`
WiMAX
`
廣播
`
雷達(dá)
恩智浦與
United Monolithic
半導(dǎo)體以及固體物理學(xué)
Fraunhofer
研究所合作，正在開發(fā)能夠推動(dòng)下一代
RF
功率放大器性能的氮
化鉀
(GaN)
工藝技術(shù)。全新的
GaN
工藝，結(jié)合高頻率和高功
率，使恩智浦繼續(xù)發(fā)展開發(fā)良好的
LDMOS
技術(shù)的同時(shí)，也能夠
在支持未來應(yīng)用中處于領(lǐng)導(dǎo)位置。
GaN
技術(shù)為基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備商提
供多種好處。在發(fā)射器中使用
GaN
技術(shù)意味著制造系統(tǒng)中成本
的顯著降低，并伴隨系統(tǒng)性能和靈活性提高。當(dāng)今的大多數(shù)基站
功率放大器都限于特定應(yīng)用。全新的以
GaN
為基礎(chǔ)的技術(shù)令操
作者在多個(gè)系統(tǒng)和頻率中使用一個(gè)“萬能發(fā)射器”。恩智浦
GaN
技術(shù)帶來的這種通用功率放大器架構(gòu)能簡化發(fā)射器生產(chǎn)和物流。
這種技術(shù)可以讓運(yùn)營商在系統(tǒng)和頻率之間轉(zhuǎn)換，因此它們能立即
滿足基站覆蓋區(qū)域的要求。
GaN
晶體管使得功率放大器更加高
效，因而降低了電信運(yùn)營商的運(yùn)營成本。與以
Si
和
GaAs
為基礎(chǔ)
的設(shè)備相比，
GaN
晶體管可以在更高的結(jié)溫下操作，因此
GaN
非常適用于冷卻能力不好的環(huán)境，比如塔頂基站。此外，借助高
功率密度，
GaN
有擴(kuò)張至其他領(lǐng)域的潛力，包括目前仍然應(yīng)用
真空管固態(tài)功率放大器為標(biāo)準(zhǔn)的高功率廣播應(yīng)用。恩智浦第一個(gè)
GaN
寬帶功率放大器將在
2012
年面世，開關(guān)模式功率放大器
(SMPA)
會在其后很快面世。
Performance (targets)
Saturated output power at 50 V
100 W
Frequency
2.2 GHz
Maximum PAE
68%
Linear power gain
19 dB
2C-WCDMA linear efficiency with DPD
40% at –52 dBc IM3 at 8 dB OPBO
Assembly of GaN power bar in standard ceramic package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OL2381AHN Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver
OL3216TC-DPG CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDA23TZ-WPG REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDPM8T1-L1G MOLDING TYPE SMD LED LAMPS
OLS133TR-DPG SURFACE MOUNT LED LAMPS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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OL2381AHN/C0B,515 功能描述:射頻收發(fā)器 Single Chip 1-GHz 射頻收發(fā)器 RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray
OL2381AHN/C0B515 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
OL2385AHN/00100Y 功能描述:RF WIRELESS PLATFORM UHF 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
OL2385AHN/001A0Y 功能描述:LOW-POWER MULTI-CHANNEL UHF RF W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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