參數(shù)資料
型號： OL2311AHN
廠商： NXP Semiconductors N.V.
元件分類： 微波射頻器件
英文描述： Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Receiver
封裝： OL2311AHN<SOT617-3 (HVQFN32)|<<http://www.nxp.com/packages/SOT617-3.html<1<Always Pb-free,;
文件頁數(shù)： 65/122頁
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代理商： OL2311AHN
66
NXP Semiconductors RF Manual 15
th
edition
2.6
技術(shù)
2.6.1
采用
GaN
技術(shù)使無線基礎(chǔ)設(shè)施效率提高并降低成本
恩智浦
RF Power
的
GaN
技術(shù)
最新的氮化鉀
(GaN)
技術(shù)是合作開發(fā)努力的結(jié)晶。它將使下一代無線通訊中的大功率放大器具有非常高的效率。
特點
`
功率密度可比
Si LDMOS
高五倍
`
工作在
50 V
`
高增益
`
高效率
`
高可靠性
`
低寄生參數(shù)
主要優(yōu)勢
`
高頻率與高功率相結(jié)合
`
寬帶操作：使單個功率放大器在多個頻段工作
`
使下一代、高功率、開關(guān)模式功率放大器
(SMPA)
架構(gòu)更好實現(xiàn)
`
更低的系統(tǒng)成本和操作費用
`
最適用于塔頂基站
應(yīng)用
`
移動電話基站
`
WiMAX
`
廣播
`
雷達(dá)
恩智浦與
United Monolithic
半導(dǎo)體以及固體物理學(xué)
Fraunhofer
研究所合作，正在開發(fā)能夠推動下一代
RF
功率放大器性能的氮
化鉀
(GaN)
工藝技術(shù)。全新的
GaN
工藝，結(jié)合高頻率和高功
率，使恩智浦繼續(xù)發(fā)展開發(fā)良好的
LDMOS
技術(shù)的同時，也能夠
在支持未來應(yīng)用中處于領(lǐng)導(dǎo)位置。
GaN
技術(shù)為基礎(chǔ)設(shè)施設(shè)備商提
供多種好處。在發(fā)射器中使用
GaN
技術(shù)意味著制造系統(tǒng)中成本
的顯著降低，并伴隨系統(tǒng)性能和靈活性提高。當(dāng)今的大多數(shù)基站
功率放大器都限于特定應(yīng)用。全新的以
GaN
為基礎(chǔ)的技術(shù)令操
作者在多個系統(tǒng)和頻率中使用一個“萬能發(fā)射器”。恩智浦
GaN
技術(shù)帶來的這種通用功率放大器架構(gòu)能簡化發(fā)射器生產(chǎn)和物流。
這種技術(shù)可以讓運營商在系統(tǒng)和頻率之間轉(zhuǎn)換，因此它們能立即
滿足基站覆蓋區(qū)域的要求。
GaN
晶體管使得功率放大器更加高
效，因而降低了電信運營商的運營成本。與以
Si
和
GaAs
為基礎(chǔ)
的設(shè)備相比，
GaN
晶體管可以在更高的結(jié)溫下操作，因此
GaN
非常適用于冷卻能力不好的環(huán)境，比如塔頂基站。此外，借助高
功率密度，
GaN
有擴(kuò)張至其他領(lǐng)域的潛力，包括目前仍然應(yīng)用
真空管固態(tài)功率放大器為標(biāo)準(zhǔn)的高功率廣播應(yīng)用。恩智浦第一個
GaN
寬帶功率放大器將在
2012
年面世，開關(guān)模式功率放大器
(SMPA)
會在其后很快面世。
Performance (targets)
Saturated output power at 50 V
100 W
Frequency
2.2 GHz
Maximum PAE
68%
Linear power gain
19 dB
2C-WCDMA linear efficiency with DPD
40% at –52 dBc IM3 at 8 dB OPBO
Assembly of GaN power bar in standard ceramic package
相關(guān)PDF資料
PDF描述
OL2381AHN Highly Integrated Single Chip Sub 1-GHz RF Transceiver
OL3216TC-DPG CERAMIC BASIC TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDA23TZ-WPG REFLECTOR COATING TYPE HIGH-PERFORMANCE LEDS
OLDPM8T1-L1G MOLDING TYPE SMD LED LAMPS
OLS133TR-DPG SURFACE MOUNT LED LAMPS
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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OL2381AHN/C0B,515 功能描述:射頻收發(fā)器 Single Chip 1-GHz 射頻收發(fā)器 RoHS:否 制造商:Atmel 頻率范圍:2322 MHz to 2527 MHz 最大數(shù)據(jù)速率:2000 Kbps 調(diào)制格式:OQPSK 輸出功率:4 dBm 類型: 工作電源電壓:1.8 V to 3.6 V 最大工作溫度:+ 85 C 接口類型:SPI 封裝 / 箱體:QFN-32 封裝:Tray
OL2381AHN/C0B515 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述: 制造商:NXP 功能描述: 制造商:NXP Semiconductors 功能描述:
OL2385AHN/00100Y 功能描述:RF WIRELESS PLATFORM UHF 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):在售 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
OL2385AHN/001A0Y 功能描述:LOW-POWER MULTI-CHANNEL UHF RF W 制造商:nxp usa inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):停產(chǎn) 類型:TxRx + MCU 射頻系列/標(biāo)準(zhǔn):- 協(xié)議:- 調(diào)制:ASK，F(xiàn)SK 數(shù)據(jù)速率（最大值）:- 功率 - 輸出:14dBm 靈敏度:-124dBm 存儲容量:- 串行接口:SPI，UART GPIO:12 電壓 - 電源:1.9 V ~ 5.5 V 電流 - 接收:- 電流 - 傳輸:29mA 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-VFQFN 裸露焊盤 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1
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