參數(shù)資料
型號： NTHD4502N
廠商： ON SEMICONDUCTOR
英文描述： Power MOSFET 30 V, 3.9 A, Dual N−Channel ChipFET
文件頁數(shù)： 3/6頁
文件大?。?/td> 60K
代理商： NTHD4502N
NTHD4502N
http://onsemi.com
3
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(continued)
(T
J
= 25
°
C unless otherwise noted)
Parameter
Symbol
Test Conditions
Min
Typ
Max
Units
DRAINSOURCE DIODE CHARACTERISTICS
Forward Diode Voltage
V
SD
V
GS
= 0 V, I
S
= 2.5 A
0.85
1.2
V
Reverse Recovery Time
t
RR
V
GS
= 0 V, I
S
= 2.9 A,
dI
S
/dt = 100 A/ s
8.6
ns
Reverse Recovery Charge
Q
RR
4.0
nC
Reverse Recovery Time
t
RR
V
GS
= 0 V, I
S
= 1.0 A,
dI
S
/dt = 100 A/ s
8.4
ns
Reverse Recovery Charge
Q
RR
4.0
nC
SWITCHING CHARACTERISTICS
(Note 7)
TurnOn Delay Time
t
d(ON)
6.5
12
ns
Rise Time
t
r
V
GS
= 10 V, V
DD
= 24 V,
I
D
= 1 A, R
G
= 6
5.4
10
TurnOff Delay Time
t
d(OFF)
14.9
25
Fall Time
t
f
1.8
5.0
TurnOn Delay Time
t
d(ON)
7.8
ns
Rise Time
t
r
V
GS
= 4.5 V, V
DD
= 24 V,
I
D
= 2.9 A, R
G
= 2.5
12.6
TurnOff Delay Time
t
d(OFF)
9.6
Fall Time
t
f
2.8
7. Switching characteristics are independent of operating junction temperatures.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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