- 您現(xiàn)在的位置：買賣IC網(wǎng) > PDF目錄189259 > NT5CB256M4AN-BF (NANYA TECHNOLOGY CORP) DDR DRAM, PBGA78 PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號： | NT5CB256M4AN-BF |
| 廠商： | NANYA TECHNOLOGY CORP |
| 元件分類： | DRAM |
| 英文描述： | DDR DRAM, PBGA78 |
| 封裝： | 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANAT, WBGA-78 |
| 文件頁數(shù)： | 23/106頁 |
| 文件大小： | 2599K |
| 代理商： | NT5CB256M4AN-BF |
第1頁第2頁第3頁第4頁第5頁第6頁第7頁第8頁第9頁第10頁第11頁第12頁第13頁第14頁第15頁第16頁第17頁第18頁第19頁第20頁第21頁第22頁當(dāng)前第23頁第24頁第25頁第26頁第27頁第28頁第29頁第30頁第31頁第32頁第33頁第34頁第35頁第36頁第37頁第38頁第39頁第40頁第41頁第42頁第43頁第44頁第45頁第46頁第47頁第48頁第49頁第50頁第51頁第52頁第53頁第54頁第55頁第56頁第57頁第58頁第59頁第60頁第61頁第62頁第63頁第64頁第65頁第66頁第67頁第68頁第69頁第70頁第71頁第72頁第73頁第74頁第75頁第76頁第77頁第78頁第79頁第80頁第81頁第82頁第83頁第84頁第85頁第86頁第87頁第88頁第89頁第90頁第91頁第92頁第93頁第94頁第95頁第96頁第97頁第98頁第99頁第100頁第101頁第102頁第103頁第104頁第105頁第106頁
1Gb DDR3 SDRAM A-Die
NT5CB256M4AN / NT5CB128M8AN / NT5CB64M16AP
23
REV 1.2
01 / 2009
CKE Truth Table
No Operation (NOP) Command
The No operation (NOP) command is used to instruct the selected DDR3 SDRAM to perform a NOP (
low and , , and
high). This prevents unwanted commands from being registered during idle or wait states. Operations already in progress are not
affected.
Deselect Command
The Deselect function (
HIGH) prevents new commands from being executed by the DDR3 SDRAM. The DDR3 SDRAM is
effectively deselected. Operations already in progress are not affected.
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NT5DS64M8BF-6KI | DDR DRAM, PBGA60 |
| NT5SE8M16DS-6K | 8M X 16 SYNCHRONOUS DRAM, 5 ns, PDSO54 |
| NT5SV8M8DT-7 | 8M X 8 SYNCHRONOUS DRAM, 5.4 ns, PDSO54 |
| NTC1111-20MHZ | Analog IC |
| NTC1111-SERIES | Analog IC |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NT5CB256M8FN-DI | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
| NT5CB256M8GN-CG | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:DRAM |
| NT5CB64M16DP-CF | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:DRAM |
| NT5CB64M16FP-DH | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY |
| NT5CB64M16FP-DII | 制造商:Nanya Technology Corporation 功能描述:MEMORY IC |
發(fā)布緊急采購，3分鐘左右您將得到回復(fù)。