參數(shù)資料
型號(hào)： NP40N055KHE-E1-AY
元件分類： JFETs
英文描述： 40 A, 55 V, 0.023 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
封裝： LEAD FREE, MP-25ZK, TO-263, 3 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/10頁(yè)
文件大?。?/td> 206K
代理商： NP40N055KHE-E1-AY
Data Sheet D14092EJ6V0DS
4
NP40N055EHE, NP40N055KHE, NP40N055CHE, NP40N055DHE, NP40N055MHE, NP40N055NHE
TYPICAL CHARACTERISTICS (TA = 25
°C)
Figure2. TOTAL POWER DISSIPATION vs.
CASE TEMPERATURE
TC - Case Temperature -
°C
P
T
-
Total
Power
Dissipation
-
W
0
25
50
75
100
125
150
175
200
70
60
50
40
30
20
10
Figure.3 FORWARD BIAS SAFE OPERATING AREA
Figure1. DERATING FACTOR OF FORWARD BIAS
SAFE OPERATING AREA
dT
-
Percentage
of
Rated
Power
-
%
0
25
50
75
100
125
150
175
200
20
40
60
80
100
Figure4. SINGLE AVALANCHE ENERGY
DERATING FACTOR
Starting Tch - Starting Channel Temperature -
°C
Single
Pulse
Avalanche
Energy
-
mJ
0
25
30
40
50
60
50
75
100
125
150
175
10
20
TC - Case Temperature -
°C
IAS = 7 A
0.8 mJ
49 mJ
44 mJ
29 A
21 A
Figure5. TRANSIENT THERMAL RESISTANCE vs. PULSE WIDTH
PW - Pulse Width - s
rth(t)
-
Transient
Thermal
Resistance
-
°C
/W
10
0.01
0.1
1
100
1000
1 m
10 m
100 m
1
10
100
1000
Single Pulse
Rth(ch-A) = 83.3
°C/W
10
100
Rth(ch-C) = 2.27
°C/W
μ
VDS - Drain to Source Voltage - V
ID
-
Drain
Current
-
A
1
0.1
10
100
1000
1
10
100
TC = 25
°C
Single Pulse
0.1
ID(pulse)
PW
=
10
μs
100
μs
1 ms
DC
RDS(on)
Limited
(V
GS
= 10
V)
ID(DC)
Power
Dissipation
Limited
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NP80N055KHE 80 A, 55 V, 0.011 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-263AB
NP80N06CLD 80 A, 60 V, 0.02 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
NP84N075MUE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N075NUE-S18-AY MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP84N075NUE MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NP40N055KHE-E2-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP40N055KLE 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
NP40N055KLE-E1-A 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NP40N055KLE-E1-AY 功能描述:MOSFET N-CH 55V 40A TO-263 RoHS:是 類別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> FET - 單 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:MESH OVERLAY™ FET 型:MOSFET N 通道，金屬氧化物 FET 特點(diǎn):邏輯電平門 漏極至源極電壓(Vdss):200V 電流 - 連續(xù)漏極(Id) @ 25° C:18A 開(kāi)態(tài)Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C:180 毫歐 @ 9A，10V Id 時(shí)的 Vgs(th)（最大）:4V @ 250µA 閘電荷(Qg) @ Vgs:72nC @ 10V 輸入電容 (Ciss) @ Vds:1560pF @ 25V 功率 - 最大:40W 安裝類型:通孔 封裝/外殼:TO-220-3 整包 供應(yīng)商設(shè)備封裝:TO-220FP 包裝:管件
NP40N055KLE-E2-AY 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR SWITCHING N-CHANNEL POWER MOS FET
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