參數(shù)資料
型號: NE4210M01-T1
廠商: NEC Corp.
英文描述: C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述: C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商: NE4210M01-T1
Preliminary Data Sheet
8
NE4210M01
NOISE PARAMETER
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
Γ
opt.
Freq. (GHz)
NF
min.
(dB)
G
a
(dB)
MAG.
ANG. (deg.)
R
n
/50
2.0
0.38
18.2
0.82
37
0.36
4.0
0.39
16.3
0.64
67
0.26
6.0
0.47
14.6
0.48
101
0.17
8.0
0.56
13.5
0.38
142
0.09
10.0
0.66
12.3
0.25
167
0.09
12.0
0.80
11.0
0.24
92
0.15
14.0
0.94
10.0
0.42
12
0.39
16.0
1.19
9.2
0.58
30
0.71
18.0
1.48
8.0
0.66
66
1.18
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE42484A NONLINEAR MODEL
NE46100 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE46134 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE46134-T1 NECs NPN MEDIUM POWER MICROWAVE TRANSISTOR
NE52118 L to S BAND LOW NOISE AMPLIFIER NPN GaAs HBT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NE4210S01 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE4210S01-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE4210S01-T1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NE4210S01T1B 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA 4-Pin Case S01 T/R 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA AlGaAs HJFET 4-Pin Case S01 T/R
NE4210S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS(最大值/最小值):4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體: