參數(shù)資料
型號(hào)： NE4210M01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場(chǎng)效應(yīng)管
文件頁(yè)數(shù)： 3/12頁(yè)
文件大?。?/td> 79K
代理商： NE4210M01-T1
Preliminary Data Shee
3
NE4210M01
PACKAGE DIMENSIONS
6 pin super minimold (Unit: mm)
0 to 0.1
0.15
0.7
0
1
2
0.65
1.3
0.65
0.9 ±0.1
2.0 ±0.2
-0.1
-0
0.2
-0.1
-0
PIN CONNECTIONS
Pin No.
Pin Name
1
Gate
2
Source
3
Source
4
Drain
5
Source
6
Source
3
2
1
4
5
6
(Top View)
V
4
5
6
3
2
1
(Bottom View)
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PDF描述
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參數(shù)描述
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NE4210S01-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE4210S01-T1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
NE4210S01T1B 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA 4-Pin Case S01 T/R 制造商:California Eastern Laboratories (CEL) 功能描述:Trans JFET 4V 70mA AlGaAs HJFET 4-Pin Case S01 T/R
NE4210S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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