參數(shù)資料
型號(hào)： NE4210M01-T1
廠商： NEC Corp.
英文描述： C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET
中文描述： C到Ku波段超低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管
文件頁數(shù)： 2/12頁
文件大?。?/td> 79K
代理商： NE4210M01-T1
Preliminary Data Sheet
2
NE4210M01
RECOMMENDED OPERATING CONDITION (T
A
= 25
°
C)
Characteristic
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
2
3
V
Drain Current
I
D
10
20
mA
Input Power
P
in
+5
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= 25
°
C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
I
GSO
V
GS
=
3 V
0.5
10
μ
A
Saturated Drain Current
I
DSS
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
20
60
90
mA
Gate to Source Cutoff Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 2 V, I
D
= 100
μ
A
0.2
0.7
2.0
V
Transconductance
g
m
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
50
65
mS
f = 12 GHz
0.8
1.1
Noise Figuer
NF
f = 4 GHz
0.4
dB
f = 12 GHz
9.0
11.0
Associated Gain
G
a
f = 4 GHz
V
DS
= 2 V
I
D
= 10 mA
16.0
dB
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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參數(shù)描述
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NE4210S01-A 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
NE4210S01-T1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
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NE4210S01-T1B 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術(shù)類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導(dǎo) gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風(fēng)格: 封裝 / 箱體:
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