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參數(shù)資料
| 型號： | NE321000 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲N溝道結型場效應管) |
| 中文描述： | 低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應管（低噪聲?溝道結型場效應管） |
| 文件頁數(shù)： | 9/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | NE321000 |
Data Sheet P14270EJ2V0DS00
9
NE321000
[MEMO]
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NE321000- | TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | CHIP |
| NE32400 | C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP |
| NE24200 | C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP |
| NE32484A-T1 | KJ 55C 55#22 SKT PLUG |
| NE32484A | C to Ku BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NE321000- | 制造商:NEC 制造商全稱:NEC 功能描述:TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | CHIP |
| NE321000_01 | 制造商:CEL 制造商全稱:CEL 功能描述:ULTRA LOW NOISE PSEUDOMORPHIC HJ FET |
| NE3210S01 | 功能描述:射頻GaAs晶體管 Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:TriQuint Semiconductor 技術類型:pHEMT 頻率:500 MHz to 3 GHz 增益:10 dB 噪聲系數(shù): 正向跨導 gFS（最大值/最小值）:4 S 漏源電壓 VDS: 閘/源擊穿電壓:- 8 V 漏極連續(xù)電流:3 A 最大工作溫度:+ 150 C 功率耗散:10 W 安裝風格: 封裝 / 箱體: |
| NE3210S01-A | 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube |
| NE3210S01-T1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET |
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