參數(shù)資料
型號： NE321000
廠商： NEC Corp.
英文描述： Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲N溝道結(jié)型場效應(yīng)管)
中文描述： 低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管（低噪聲?溝道結(jié)型場效應(yīng)管）
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： NE321000
Data Sheet P14270EJ2V0DS00
2
NE321000
RECOMMENDED OPERATING CONDITIONS (T
A
= +25 °C)
Parameter
Symbol
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Drain to Source Voltage
V
DS
1
2
3
V
Drain Current
I
D
5
10
15
mA
Input Power
P
in
–
–
0
dBm
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T
A
= +25 °C)
Parameter
Symbol
Test Conditions
MIN.
TYP.
MAX.
Unit
Gate to Source Leak Current
I
GSO
V
GS
= –3 V
–
0.5
10
μ
A
Saturated Drain Current
I
DSS
V
DS
= 2 V, V
GS
= 0 V
15
40
70
mA
Gate to Source Cut Off Voltage
V
GS(off)
V
DS
= 2 V, I
DS
= 100
μ
A
–0.2
–0.7
–2.0
V
Transconductance
g
m
V
DS
= 2 V, I
DS
= 10 mA
40
55
–
mS
Noise Figure
NF
–
0.35
0.45
dB
NF Associated Gain
G
a
V
DS
= 2 V, I
DS
= 10 mA
f = 12 GHz
12.0
13.5
–
dB
Remark
RF performance is determined by packaging and testing 10 chips per wafer.
Wafer rejection criteria for standard devices is 2 rejects per 10 samples.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NE321000- TRANSISTOR | JFET | N-CHANNEL | 4V V(BR)DSS | 15MA I(DSS) | CHIP
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NE24200 C to Ka BAND SUPER LOW NOISE AMPLIFIER N-CHANNEL HJ-FET CHIP
NE32484A-T1 KJ 55C 55#22 SKT PLUG
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參數(shù)描述
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NE3210S01-A 功能描述:MOSFET Super Lo Noise HJFET RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶體管極性:N-Channel 汲極/源極擊穿電壓:650 V 閘/源擊穿電壓:25 V 漏極連續(xù)電流:130 A 電阻汲極/源極 RDS（導通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作溫度: 安裝風格:Through Hole 封裝 / 箱體:Max247 封裝:Tube
NE3210S01-T1 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET
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