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參數(shù)資料
| 型號： | NE321000 |
| 廠商： | NEC Corp. |
| 英文描述： | Low Noise Amplifier N-Channel HJ-FET(低噪聲N溝道結(jié)型場效應(yīng)管) |
| 中文描述： | 低噪聲放大器N溝道黃建忠場效應(yīng)管（低噪聲?溝道結(jié)型場效應(yīng)管） |
| 文件頁數(shù)： | 5/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 48K |
| 代理商： | NE321000 |
Data Sheet P14270EJ2V0DS00
5
NE321000
S-PARAMETERS
MAG. AND ANG.
V
DS
= 2 V, I
D
= 10 mA
FREQUENCY
GHz
S
11
S
21
S
12
S
22
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
MAG.
ANG.
2.0
3.0
4.0
5.0
6.0
7.0
8.0
9.0
10.0
11.0
12.0
13.0
14.0
15.0
16.0
17.0
18.0
19.0
20.0
21.0
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55.2
51.5
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82.7
84.1
87.9
88.3
89.2
91.6
93.5
95.2
97.5
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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參數(shù)描述 |
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| NE3210S01-T1 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:RF SMALL SIGNAL TRANSISTOR HFET |
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