- 您現(xiàn)在的位置：買(mǎi)賣(mài)IC網(wǎng) > PDF目錄361075 > NAND512W4M5CZC5E (意法半導(dǎo)體) 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP PDF資料下載
參數(shù)資料
| 型號(hào)： | NAND512W4M5CZC5E |
| 廠商： | 意法半導(dǎo)體 |
| 元件分類(lèi)： | 存儲(chǔ)器模塊 |
| 英文描述： | 256/512Mb/1Gb (x8/x16, 1.8/3V, 528 Byte Page) NAND Flash Memories 256/512Mb (x16/x32, 1.8V) LPSDRAM, MCP |
| 中文描述： | 同一封裝內(nèi)整合了256/512Mb/1Gb（x8/x16，1.8/3V，528字節(jié)頁(yè)）NAND閃存以及256/512Mb（x16/x32，1.8V的）LPSDRAM的MCP |
| 文件頁(yè)數(shù)： | 10/23頁(yè) |
| 文件大小： | 181K |
| 代理商： | NAND512W4M5CZC5E |
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Summary description
NAND256-M, NAND512-M, NAND01G-M
10/23
Table 3.
Signal Names: NAND Flash & 2 x SDR LPSDRAMs
NAND Flash
I/O0-I/O7
Data Inputs/Outputs
AL
Address Latch Enable
CL
Command Latch Enable
E
F
Chip Enable
R
Read Enable
RB
Ready/Busy (open-drain output)
W
F
Write Enable
WP
Write Protect
V
DDF
Supply Voltage
V
SSF
Ground
SDR LPSDRAM
A0-A12
Row Address: RA0-RA11
Column Address: CA0-CA8
Auto-precharge flag: A10
BA0-BA1
Bank Address
DQ0-DQ15
Data Inputs/Outputs for x16 devices SDR
0
DQ16-DQ31
Data Inputs/Outputs for x16 devices SDR
1
K
Clock Input
KE
Clock Enable Input
E
0D
Chip Select input for SDR
0
E
1D
Chip Select input for SDR
1
W
D
Write Enable Input
RAS
Row Address Strobe Input
CAS
Column Address Strobe Input
DQM0
Lower DQ Mask Enable Output for SDR
0
DQM1
Upper DQ Mask Enable Output for SDR
0
DQM2
Lower DQ Mask Enable Output for SDR
1
DQM3
Upper DQ Mask Enable Output for SDR
1
V
DDD
Supply Voltage
V
DDQD
Input/Output Supply Voltage
V
SSD
Ground
V
SSQD
Input/Output Ground
NC
Not Connected Internally
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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