參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R3B3BZA6E
廠(chǎng)商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝： 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁(yè)數(shù)： 9/59頁(yè)
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND512R3B3BZA6E
17/59
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Table 8. Address Definitions, x8
Table 9. Address Definitions, x16
Address
Definition
A0 - A11
Column Address
A12 - A17
Page Address
A18 - A26
Block Address
512Mb device
A18 - A27
Block Address
1Gb device
A18 - A28
Block Address
2Gb device
A18 - A29
Block Address
4Gb device
A18 - A30
Block Address
8Gb device
Address
Definition
A0 - A10
Column Address
A11 - A16
Page Address
A17 - A25
Block Address
512Mb device
A17 - A26
Block Address
1Gb device
A17 - A27
Block Address
2Gb device
A17 - A28
Block Address
4Gb device
A17 - A29
Block Address
8Gb device
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3B3BN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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參數(shù)描述
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NAND512W3A0AN6 功能描述:閃存 NAND & S.MEDIA FLASH RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線(xiàn)寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪(fǎng)問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel
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