參數(shù)資料
型號(hào): NAND512R3B3BZA6E
廠商: STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi): PROM
英文描述: 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
封裝: 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, ROHS COMPLIANT, VFBGA-63
文件頁(yè)數(shù): 13/59頁(yè)
文件大小: 998K
代理商: NAND512R3B3BZA6E
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
20/59
Figure 10. Random Data Output During Sequential Data Output
I/O
RB
Address
Inputs
ai08658
Data Output
Busy
tBLBH1
(Read Busy time)
00h
Cmd
Code
30h
Address
Inputs
Data Output
05h
E0h
5 Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
Row Add 1,2,3
Cmd
Code
Cmd
Code
Cmd
Code
2Add cycles
Main Area
Spare
Area
Col Add 1,2
R
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND512W3B3BN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3BZA6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
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NAND512W3B3BN1F 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND04GR4B3AN1 256M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
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NAND512W3A0AN6E 功能描述:閃存 2.7-3.6V 512M(64Mx8) RoHS:否 制造商:ON Semiconductor 數(shù)據(jù)總線寬度:1 bit 存儲(chǔ)類(lèi)型:Flash 存儲(chǔ)容量:2 MB 結(jié)構(gòu):256 K x 8 定時(shí)類(lèi)型: 接口類(lèi)型:SPI 訪問(wèn)時(shí)間: 電源電壓-最大:3.6 V 電源電壓-最小:2.3 V 最大工作電流:15 mA 工作溫度:- 40 C to + 85 C 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體: 封裝:Reel