參數(shù)資料
型號(hào)： NAND512R3A2CV6E
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類(lèi)： PROM
英文描述： 64M X 8 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
封裝： 12 X 17 MM, 0.65 MM HEIGHT, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, USOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 21/56頁(yè)
文件大?。?/td> 951K
代理商： NAND512R3A2CV6E
NAND128-A, NAND256-A, NAND512-A, NAND01G-A
28/56
Table 11. Status Register Bits
Read Electronic Signature
The device contains a Manufacturer Code and De-
vice Code. To read these codes two steps are re-
quired:
1.
first use one Bus Write cycle to issue the Read
Electronic Signature command (90h), followed
by an address input of 00h.
2.
then perform two Bus Read operations – the
first will read the Manufacturer Code and the
second, the Device Code. Further Bus Read
operations will be ignored.
mation on the addresses.
Table 12. Electronic Signature
Bit
Name
Logic Level
Definition
SR7
Write Protection
'1'
Not Protected
'0'
Protected
SR6
Program/ Erase/ Read
Controller
'1'
P/E/R C inactive, device ready
'0'
P/E/R C active, device busy
SR5, SR4,
SR3, SR2, SR1
Reserved
Don’t Care
SR0
Generic Error
‘1’
Error – operation failed
‘0’
No Error – operation successful
Part Number
Manufacturer
Code
Device code
NAND128W3A
20h
73h
NAND256R3A
20h
35h
NAND256W3A
75h
NAND256R4A
0020h
0045h
NAND256W4A
0055h
NAND512R3A
20h
36h
NAND512W3A
76h
NAND512R4A
0020h
0046h
NAND512W4A
0056h
NAND01GR3A
20h
39h
NAND01GW3A
79h
NAND01GR4A
0020h
0049h
NAND01GW4A
0059h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND128W4A2CZA6E 8M X 16 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND128R4A2BZA6E 8M X 16 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA55
NAND256R4A0DN6T 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PDSO48
NAND256R4A2DZA1F 16M X 16 FLASH 1.8V PROM, 15000 ns, PBGA63
NAND256W3A1BZA1E 32M X 8 FLASH 3V PROM, 12000 ns, PBGA63
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
NAND512R3A2CZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 產(chǎn)品變化通告:Product Discontinuation 26/Apr/2010 標(biāo)準(zhǔn)包裝:136 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:RAM 存儲(chǔ)器類(lèi)型:SRAM - 同步，DDR II 存儲(chǔ)容量:18M（1M x 18） 速度:200MHz 接口:并聯(lián) 電源電壓:1.7 V ~ 1.9 V 工作溫度:0°C ~ 70°C 封裝/外殼:165-TBGA 供應(yīng)商設(shè)備封裝:165-CABGA（13x15） 包裝:托盤(pán) 其它名稱(chēng):71P71804S200BQ
NAND512R3A2CZA6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:SLC NAND Flash Parallel 1.8V 512Mbit 64M x 8bit 15us 63-Pin VFBGA T/R
NAND512R3A2DDI6 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
NAND512R3A2DZA6E 功能描述:IC FLASH 512MBIT 63VFBGA RoHS:是 類(lèi)別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:1,000 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:EEPROMs - 串行 存儲(chǔ)器類(lèi)型:EEPROM 存儲(chǔ)容量:4K (512 x 8) 速度:400kHz 接口:I²C，2 線串口 電源電壓:2.7 V ~ 5.5 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:8-SOIC（0.173"，4.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:8-MFP 包裝:帶卷 (TR)
NAND512R3A2SE06 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film
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