參數(shù)資料
型號： NAND02GW3B3CN6
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48
文件頁數(shù)： 43/59頁
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND02GW3B3CN6
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
48/59
Figure 31. Page Read Operation AC Waveform
Note: A fifth address cycle is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices.
tEHEL
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
tWLWL
tWHBL
tALLRL2
00h
Data
N
Data
N+1
Data
N+2
Data
Last
tRHBL
tEHBH
tWHBH
tRLRL
tEHQZ
tRHQZ
ai08660
Busy
Command
Code
Address N Input
Data Output
from Address N to Last Byte or Word in Page
Add.N
cycle 1
Add.N
cycle 4
Add.N
cycle 3
Add.N
cycle 2
(Read Cycle time)
tRLRH
tBLBH1
30h
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND04GR3B3BN1F 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48
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NAND512W3B3CN6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
NAND512W3B3CZA6E 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63
NAND08GR3B2CZC6T 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63
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參數(shù)描述
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NAND04GR3B2EN6E 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays
NAND04GR3B2EN6F 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel
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