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參數(shù)資料
| 型號： | NAND02GW3B3CN6 |
| 廠商： | STMICROELECTRONICS |
| 元件分類： | PROM |
| 英文描述： | 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| 封裝： | 12 X 20 MM, PLASTIC, TSOP-48 |
| 文件頁數(shù)： | 40/59頁 |
| 文件大?。?/td> | 998K |
| 代理商： | NAND02GW3B3CN6 |
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NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
Figure 25. Command Latch AC Waveforms
Figure 26. Address Latch AC Waveforms
Note: A fifth address cycle is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices.
ai08028
CL
E
W
AL
I/O
tCLHWL
tELWL
tWHCLL
tWHEH
tWLWH
tALLWL
tWHALH
Command
tDVWH
tWHDX
(CL Setup time)
(CL Hold time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(ALSetup time)
(AL Hold time)
(E Setup time)
(E Hold time)
ai08029
CL
E
W
AL
I/O
tWLWH
tELWL
tWLWL
tCLLWL
tWHWL
tALHWL
tDVWH
tWLWL
tWLWH
tWHWL
tWHDX
tWHALL
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tDVWH
tWHDX
tWHALL
Adrress
cycle 1
tWHALL
(AL Setup time)
(AL Hold time)
Adrress
cycle 4
Adrress
cycle 3
Adrress
cycle 2
(CL Setup time)
(Data Setup time)
(Data Hold time)
(E Setup time)
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B3BN1F | 512M X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3BN1E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3CN6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48 |
| NAND512W3B3CZA6E | 64M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PBGA63 |
| NAND08GR3B2CZC6T | 1G X 8 FLASH 1.8V PROM, 35 ns, PBGA63 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| NAND04GR3B2DDI6 | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Gel-pak, waffle pack, wafer, diced wafer on film |
| NAND04GR3B2DN6E | 功能描述:IC FLASH 4GBIT 48TSOP RoHS:是 類別:集成電路 (IC) >> 存儲(chǔ)器 系列:- 標(biāo)準(zhǔn)包裝:576 系列:- 格式 - 存儲(chǔ)器:閃存 存儲(chǔ)器類型:閃存 - NAND 存儲(chǔ)容量:512M（64M x 8） 速度:- 接口:并聯(lián) 電源電壓:2.7 V ~ 3.6 V 工作溫度:-40°C ~ 85°C 封裝/外殼:48-TFSOP（0.724"，18.40mm 寬） 供應(yīng)商設(shè)備封裝:48-TSOP 包裝:托盤 其它名稱:497-5040 |
| NAND04GR3B2DZL6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
| NAND04GR3B2EN6E | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Trays |
| NAND04GR3B2EN6F | 制造商:Micron Technology Inc 功能描述:NAND - Tape and Reel |
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