參數(shù)資料
型號(hào)： NAND02GW3B3BN1F
廠商： STMICROELECTRONICS
元件分類： PROM
英文描述： 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
封裝： 12 X 20 MM, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, TSOP-48
文件頁(yè)數(shù)： 46/59頁(yè)
文件大?。?/td> 998K
代理商： NAND02GW3B3BN1F
NAND512-B, NAND01G-B, NAND02G-B, NAND04G-B, NAND08G-B
50/59
Figure 33. Block Erase AC Waveform
Note: Address cycle 3 is required for 2Gb, 4Gb and 8Gb devices only.
Figure 34. Reset AC Waveform
D0h
60h
SR0
70h
ai08038b
tWHBL
tWLWL
tBLBH3
Block Erase
Setup Command
Block Erase
CL
E
W
AL
R
I/O
RB
Confirm
Code
Read Status Register
Block Address Input
(Erase Busy time)
(Write Cycle time)
Add.
cycle 1
Add.
cycle 3
Add.
cycle 2
W
R
I/O
RB
tBLBH4
AL
CL
FFh
ai08043
(Reset Busy time)
相關(guān)PDF資料
PDF描述
NAND02GW3B3CN6 256M X 8 FLASH 3V PROM, 35 ns, PDSO48
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