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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MW6IC2420NBR1 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司 |
| 英文描述： | RF LDMOS Integrated Power Amplifier |
| 中文描述： | 射頻LDMOS集成功率放大器 |
| 文件頁數(shù)： | 7/12頁 |
| 文件大小： | 494K |
| 代理商： | MW6IC2420NBR1 |
MW6IC2420NBR1
7
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
o
= 50
Ω
Z
load
Z
source
f = 2450 MHz
f = 2450 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ1
= 210 mA, I
DQ2
= 370 mA, P
out
= 20 W CW
f
MHz
Z
source
Z
load
2450
54.8 + j16.6
0.42 + j4.3
Z
source
=
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
Figure 9. Series Equivalent Source and Load Impedance
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| MW6S010 | RF Power Field Effect Transistor |
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| MW6S010GNR1 | RF Power Field Effect Transistor |
| MW6S010MR1 | RF Power Field Effect Transistor |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
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