參數(shù)資料
型號(hào)： MTP3N50E
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
中文描述： 3 A, 500 V, 3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁(yè)數(shù)： 6/8頁(yè)
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代理商： MTP3N50E
6
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 16. Capacitance Variation
C
VGS
VDS
0
Ciss
1000
800
600
400
25
20
10
0
10
Figure 17. Gate Charge versus
Gate–To–Source Voltage
QG, TOTAL GATE CHARGE (nC)
16
0
0
5
12
8
4
10
15
20
25
200
Figure 18. Gate Charge Test Circuit
Vin
15 V
100 k
47 k
2N3904
2N3904
1 mA
+18 V
VDD
10 V
100 k
0.1
μ
F
100
FERRITE
BEAD
DUT
SAME
DEVICE TYPE
AS DUT
Vin = 15 Vpk; PULSE WIDTH
≤
100
μ
s, DUTY CYCLE
≤
10%
TJ = 25
°
C
VGS = 0
47 k
VDS = 100 V
V
250 V
5
5
15
VDS = 0
TJ = 25
°
C
ID = 3 A
400 V
Coss
Crss
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP3N50 TMOS POWER FET 3.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 3.0 OHMS
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參數(shù)描述
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