參數(shù)資料
型號: MTP1N100E
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: JFETs
英文描述: TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 1000 VOLTS RDS(on) = 9.0 OHM
中文描述: 1 A, 1000 V, 9 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-220AB
文件頁數(shù): 7/8頁
文件大小: 203K
代理商: MTP1N100E
7
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 221A–06
ISSUE Y
NOTES:
1. DIMENSIONING AND TOLERANCING PER ANSI
Y14.5M, 1982.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION Z DEFINES A ZONE WHERE ALL
BODY AND LEAD IRREGULARITIES ARE
ALLOWED.
DIM
A
B
C
D
F
G
H
J
K
L
N
Q
R
S
T
U
V
Z
MIN
0.570
0.380
0.160
0.025
0.142
0.095
0.110
0.018
0.500
0.045
0.190
0.100
0.080
0.045
0.235
0.000
0.045
–––
MAX
0.620
0.405
0.190
0.035
0.147
0.105
0.155
0.025
0.562
0.060
0.210
0.120
0.110
0.055
0.255
0.050
–––
0.080
MIN
14.48
9.66
4.07
0.64
3.61
2.42
2.80
0.46
12.70
1.15
4.83
2.54
2.04
1.15
5.97
0.00
1.15
–––
MAX
15.75
10.28
4.82
0.88
3.73
2.66
3.93
0.64
14.27
1.52
5.33
3.04
2.79
1.39
6.47
1.27
–––
2.04
MILLIMETERS
INCHES
B
Q
H
Z
L
V
G
N
A
K
F
1
2 3
4
D
SEATING
PLANE
–T–
C
S
T
U
R
J
STYLE 5:
PIN 1.
GATE
DRAIN
SOURCE
DRAIN
2.
3.
4.
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MTP1N50E TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 500 VOLTS RDS(on) = 5.0 OHM
MTP1N60 Power Field Effect Transister N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate
MTP2955E TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
MTP2955V TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.230 OHM
MTP2955 TMOS POWER FET 12 AMPERES 60 VOLTS RDS(on) = 0.230 OHM
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MTP1N50E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk
MTP1N60 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:Power Field Effect Transister N-Channel Enhancement Mode Silicon Gate
MTP1N60E 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk 制造商:ON Semiconductor 功能描述:
MTP1N80E 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:TMOS POWER FET 1.0 AMPERES 800 VOLTS RDS(on) = 12 OHMS
MTP1S-E10-C 功能描述:電纜束帶 Mutiple Tie Plate, 1 Bundle, M-S Ties, # RoHS:否 制造商:Phoenix Contact 產(chǎn)品:Cable Tie Mounts 類型:Adhesive 顏色:Black 材料:Acrylonitrile Butadiene Styrene (ABS) 長度:19 mm 寬度:19 mm 抗拉強(qiáng)度: