參數(shù)資料
型號(hào)： MTD6N15
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： JFETs
英文描述： TMOS POWER FET 6.0 AMPERES 150 VOLTS RDS(on) = 0.3 OHM
中文描述： 6 A, 150 V, 0.3 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-252
文件頁數(shù)： 5/10頁
文件大小： 231K
代理商： MTD6N15
5
Motorola TMOS Power MOSFET Transistor Device Data
Crss
GATE–TO–SOURCE OR DRAIN–TO–SOURCE VOLTAGE (VOLTS)
Figure 11. Capacitance Variation
C
VGS
VDS
VDS = 0
0
2000
1600
1200
25
20
10
0
5
10
Figure 12. Gate Charge versus
Gate–To–Source Voltage
Qg, TOTAL GATE CHARGE (nC)
16
0
0
8
12
8
4
12
16
20
5
15
400
VDS = 50 V
V
TJ = 25
°
C
ID = 6 A
75 V
120 V
TJ = 25
°
C
VGS = 0
4
800
15
30
35
Ciss
Coss
RESISTIVE SWITCHING
PULSE GENERATOR
VDD
Vout
Vin
Rgen
50
z = 50
50
DUT
RL
Figure 13. Switching Test Circuit
toff
OUTPUT, Vout
INVERTED
ton
tr
td(off)
tf
td(on)
90%
90%
10%
INPUT, Vin
10%
50%
90%
50%
PULSE WIDTH
Figure 14. Switching Waveforms
相關(guān)PDF資料
PDF描述
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