參數(shù)資料
型號(hào)： MT58L128L18F
廠商： Micron Technology, Inc.
英文描述： 128K x 18, Flow-Through SyncBurst SRAM(2Mb,流通式同步脈沖靜態(tài)RAM)
中文描述： 128K的× 18，流量通過SyncBurst的SRAM（處理器，流通式同步脈沖靜態(tài)內(nèi)存）
文件頁(yè)數(shù)： 17/24頁(yè)
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代理商： MT58L128L18F
17
2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36 Flow-Through SyncBurst SRAM
MT58L128L18F_2.p65 – Rev. 8/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
2Mb: 128K x 18, 64K x 32/36
FLOW-THROUGH SYNCBURST SRAM
3.3V I/O AC TEST CONDITIONS
Input pulse levels ................. V
IH
= (V
DD
/2.2) + 1.5V
....................V
IL
= (V
DD
/2.2) - 1.5V
Input rise and fall times..................................... 1ns
Input timing reference levels..................... V
DD
/2.2
Output reference levels ............................V
DD
Q/2.2
Output load ............................. See Figures 1 and 2
Q
50
V = 1.5V
Z = 50
Figure 1
Q
351
317
5pF
+3.3V
Figure 2
LOAD DERATING CURVES
The Micron 128K x 18, 64K x 32, and 64K x 36
SyncBurst SRAM timing is dependent upon the capaci-
tive loading on the outputs.
Consult the factory for copies of I/O current versus
voltage curves.
Q
50
V = 1.25V
Z = 50
Figure 3
Q
1,538
1,667
5pF
+2.5V
Figure 4
2.5V I/O AC TEST CONDITIONS
Input pulse levels ............. V
IH
= (V
DD
/2.64) + 1.25V
................V
IL
= (V
DD
/2.64) - 1.25V
Input rise and fall times..................................... 1ns
Input timing reference levels................... V
DD
/2.64
Output reference levels ...............................V
DD
Q/2
Output load ............................. See Figures 3 and 4
3.3V I/O Output Load Equivalents
2.5V I/O Output Load Equivalents
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PDF描述
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MT58L128L18P 128K x 18, Pipelined, SCD SyncBurst SRAM(2Mb，流水線式，單循環(huán)取消選擇，同步脈沖靜態(tài)存儲(chǔ)器)
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