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參數(shù)資料
| 型號： | MT4LC8M8P4DJ-6 |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DRAM |
| 中文描述： | 內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 19/20頁 |
| 文件大?。?/td> | 382K |
| 代理商： | MT4LC8M8P4DJ-6 |
19
8 Meg x 8 FPM DRAM
D19_2.p65
–
Rev. 5/00
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2000, Micron Technology, Inc.
8 MEG x 8
FPM DRAM
32-PIN PLASTIC SOJ (400 mil)
.435 (11.05)
.360 (9.14)
.750 (19.05) TYP
.829 (21.05)
.823 (20.90)
SEATING PLANE
.040 (1.02)
.030 (0.77)
.380 (9.65)
.080 (2.03)
.095 (2.42)
.145 (3.68)
.132 (3.35)
.015 (0.38)
.020 (0.51)
PIN #1 ID
.050 (1.27) TYP
.445 (11.31)
.405 (10.29)
.399 (10.13)
R
.032 (0.82)
.026 (0.67)
.037 (0.95) MAX DAMBAR PROTRUSION
.024 (0.61)
.03MIN
NOTE:
1. All dimensions in inches (millimeters)MAXor typical where noted.
MIN
2. Package width and length do not include mold protrusion; allowable mold protrusion is .01" per side.
相關PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4TG-5 | DRAM |
| MT4LC8M8P4TG-6 | DRAM |
| MT4LDT464AG | 4 Meg x 64 Nonbuffered DRAM DIMMs(4 M x 64無緩沖動態(tài)RAM雙列直插存儲器模塊) |
| MT54V512H18A | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
| MT54V512H18E | 512K x 18 Synchronous Pipelined Burst SRAM(9Mb，流水線式，同步脈沖靜態(tài)存儲器) |
相關代理商/技術參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT4LC8M8P4TG-5 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LC8M8P4TG-6 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DRAM |
| MT4LCM16E5DJ-6 | 制造商:. 功能描述: |
| MT4LD164AG-52B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
| MT4LD164AG-60B | 制造商:未知廠家 制造商全稱:未知廠家 功能描述:x64 Burst EDO Page Mode DRAM Module |
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