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參數(shù)資料
| 型號： | MT46V64M8TG-8L |
| 廠商： | Micron Technology, Inc. |
| 英文描述： | DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
| 中文描述： | 雙倍數(shù)據(jù)速率的DDR SDRAM內(nèi)存 |
| 文件頁數(shù)： | 8/68頁 |
| 文件大?。?/td> | 2555K |
| 代理商： | MT46V64M8TG-8L |
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8
512Mb: x4, x8, x16 DDR SDRAM
512Mx4x8x16DDR_B.p65
–
Rev. B; Pub 4/01
Micron Technology, Inc., reserves the right to change products or specifications without notice.
2001, Micron Technology, Inc.
512Mb: x4, x8, x16
DDR SDRAM
ADVANCE
PIN DESCRIPTIONS (continued)
TSOP PIN NUMBERS
2, 5, 8, 11, 56, 59, 62, 65
5, 11, 56, 62
51
16, 51
SYMBOL
DQ0-7
DQ0-3
DQS
LDQS, UDQS
TYPE
I/O
I/O
I/O
DESCRIPTION
RESERVED NC PINS
1
TSOP PIN NUMBERS
17
SYMBOL
A13
TYPE
I
DESCRIPTION
Address input for 1Gb devices.
NOTE:
1. NC pins not listed may also be reserved for other uses now or in the future. This table simply defines specific NC pins
deemed to be of importance.
Data Input/Output: Data bus for x8 (2, 8, 59 and 65 are NC for x4).
Data Input/Output: Data bus for x4.
Data Strobe: Output with read data, input with write data. DQS is
edge-aligned with read data, centered in write data. It is used to
capture data. For the x16 , LDQS is DQS for DQ0-DQ7 and UDQS is
DQS for DQ8-DQ15. Pin 16 is NC on x4 and x8.
Do Not Use: Must float to minimize noise.
DQ Power Supply: +2.5V ±0.2V. Isolated on the die for improved
noise immunity.
DQ Ground. Isolated on the die for improved noise immunity.
Power Supply: +2.5V ±0.2V.
Ground.
SSTL_2 reference voltage.
No Connect: These pins should be left unconnected.
50
DNU
V
DD
Q
–
3, 9, 15, 55, 61
Supply
6, 12, 52, 58, 64
1, 18, 33
34, 48, 66
49
14, 17, 19, 25, 43, 53
V
SS
Q
V
DD
V
SS
V
REF
NC
Supply
Supply
Supply
Supply
–
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MT48LC16M8A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC2M32B2 | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC32M8A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC16M16A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
| MT48LC64M4A2 | SYNCHRONOUS DRAM |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MT46V8M16 | 制造商:MICRON 制造商全稱:Micron Technology 功能描述:DOUBLE DATA RATE DDR SDRAM |
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