參數(shù)資料
型號: MRFE6S9135HR3
廠商: 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述: N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述: N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù): 9/12頁
文件大?。?/td> 449K
代理商: MRFE6S9135HR3
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
9
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Z
load
Z
source
f = 820 MHz
Z
o
= 10
Ω
f = 980 MHz
f = 820 MHz
f = 980 MHz
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 39 W Avg.
f
MHz
Z
source
Z
load
820
3.39 - j6.99
2.18 - j0.80
840
3.32 - j6.86
2.20 - j0.71
860
3.05 - j6.74
2.21 - j0.66
880
2.72 - j6.47
2.20 - j0.64
900
2.46 - j6.16
2.20 - j0.64
920
2.41 - j5.80
2.18 - j0.62
940
2.41 - j5.58
2.13 - j0.63
960
2.38 - j5.45
2.03 - j0.66
980
2.13 - j5.38
Test circuit impedance as measured from
gate to ground.
1.87 - j0.70
Z
source
=
Z
load
=
Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 15. Series Equivalent Source and Load Impedance
Zsource
Zload
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRFG35002N6T1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35003MT1 RF Reference Design Library Gallium Arsenide PHEMT
MRFG35005MT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35005NT1 Gallium Arsenide PHEMT RF Power Field Effect Transistor
MRFG35010ANT1 Gallium Arsenide PHEMT
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRFE6S9135HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9135HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9135HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray