參數(shù)資料
型號： MRFE6S9135HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國)有限公司
英文描述： N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： N溝道增強型MOSFET的外側(cè)
文件頁數(shù)： 2/12頁
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代理商： MRFE6S9135HR3
2
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRFE6S9135HR3 MRFE6S9135HSR3
Table 3. ESD Protection Characteristics
Test Methodology
Class
Human Body Model (per JESD22-A114)
II (Minimum)
Machine Model (per EIA/JESD22-A115)
A (Minimum)
Charge Device Model (per JESD22-C101)
IV (Minimum)
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Off Characteristics
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 66 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
10
μ
Adc
Zero Gate Voltage Drain Leakage Current
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc)
I
DSS
—
—
1
μ
Adc
Gate-Source Leakage Current
(V
GS
= 5 Vdc, V
DS
= 0 Vdc)
I
GSS
—
—
10
μ
Adc
On Characteristics
Gate Threshold Voltage
(V
DS
= 10 Vdc, I
D
= 400
μ
Adc)
V
GS(th)
1.4
2.1
2.9
Vdc
Gate Quiescent Voltage
(V
DD
= 28 Vdc, I
D
= 1000 mAdc, Measured in Functional Test)
V
GS(Q)
2.2
2.9
3.7
Vdc
Drain-Source On-Voltage
(V
GS
= 10 Vdc, I
D
= 2.8 Adc)
V
DS(on)
0.15
0.2
0.35
Vdc
Dynamic Characteristics
(1)
Reverse Transfer Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
rss
—
1.3
—
pF
Output Capacitance
(V
DS
=
28
Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz, V
GS
= 0 Vdc)
C
oss
—
410
—
pF
Input Capacitance
(V
DS
= 28 Vdc, V
GS
= 0 Vdc
±
30 mV(rms)ac @ 1 MHz)
C
iss
—
343
—
pF
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system) V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1000 mA, P
out
= 39 W Avg. W-CDMA, f = 940 MHz,
Single-Carrier W-CDMA, 3.84 MHz Channel Bandwidth Carrier. ACPR measured in 3.84 MHz Channel Bandwidth @
±
5 MHz Offset.
PAR = 7.5 dB @ 0.01% Probability on CCDF.
Power Gain
G
ps
η
D
20
21
23
dB
Drain Efficiency
30.5
32.3
—
%
Output Peak-to-Average Ratio @ 0.01% Probability on CCDF
PAR
6.1
6.4
—
dB
Adjacent Channel Power Ratio
ACPR
—
-39.5
-38
dBc
Input Return Loss
IRL
—
-15
-9
dB
1. Part internally matched both on input and output.
(continued)
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MRFE6S9135HSR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9135HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 135W NI880S RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRFE6S9160HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6E 900MHZ 160W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
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