型號: | MRF9130LSR3 |
廠商: | MOTOROLA INC |
元件分類: | 功率晶體管 |
英文描述: | RF Power Field Effect Transistors |
中文描述: | UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
封裝: | NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
文件頁數(shù): | 9/12頁 |
文件大小: | 557K |
代理商: | MRF9130LSR3 |
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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MRF9180 | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
MRF9180S | 30V N-Channel PowerTrench MOSFET |
MRF9210 | THREE PHASE MOSFET CONTROLLER |
MRF9210R3 | RF Power Field Effect Transistor |
MRFG35010MT1 | A3935 S0P |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
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MRF9135L | 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS |
MRF9135LR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR LDMOS NI-780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF9135LR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 135W 900MHZ LDMOS NI780L RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF9135LSR3 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR LDMOS NI780LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |
MRF9135LSR5 | 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 RF PWR LDMOS NI780LS RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray |