參數(shù)資料
型號： MRFG35010MT1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： A3935 S0P
中文描述： S BAND, GaAs, N-CHANNEL, RF POWER, HEMFET
封裝： PLASTIC, CASE 466-02, PLD-1.5, 4 PIN
文件頁數(shù)： 1/8頁
文件大小： 300K
代理商： MRFG35010MT1
1
MRFG35010MT1
Motorola, Inc. 2003
The RF GaAs Line
Gallium Arsenide PHEMT
RF Power Field Effect Transistor
Designed for WLL/MMDS/BWA or UMTS driver applications with frequencies
from 1.8 to 3.6 GHz. Device is unmatched and is suitable for use in Class AB
linear base station applications.
Typical W-CDMA Performance: -42 dBc ACPR, 3.55 GHz, 12 Volts,
I
DQ
= 180 mA, 5 MHz Offset/3.84 MHz BW, 64 DPCH (8.5 dB P/A
@ 0.01% Probability)
Output Power — 900 mW
Power Gain — 10 dB
Efficiency — 28%
9 Watts P1dB @ 3.55 GHz
Excellent Phase Linearity and Group Delay Characteristics
High Gain, High Efficiency and High Linearity
In Tape and Reel. T1 Suffix = 1000 Units per 12 mm, 7 inch Reel.
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
Value
Unit
Drain-Source Voltage
V
DSS
15
Vdc
Total Device Dissipation @ T
C
= 25
°
C
Derate above 25
°
C
P
D
22.7
(2)
0.15
(2)
Watts
W/
°
C
Gate-Source Voltage
V
GS
- 5
Vdc
RF Input Power
P
in
33
dBm
Storage Temperature Range
T
stg
- 65 to +150
°
C
Channel Temperature
(1)
T
ch
175
°
C
Operating Case Temperature Range
T
C
- 20 to +85
°
C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
Symbol
Max
6.6
(2)
Unit
Thermal Resistance, Junction to Case
R
θ
JC
°
C/W
MOISTURE SENSITIVITY LEVEL
Test Methodology
Rating
Per JESD 22-A113
1
(1) For reliable operation, the operating channel temperature should not exceed 150
°
C.
(2) Simulated.
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by MRFG35010MT1/D
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
3.5 GHz, 9 W, 12 V
POWER FET
GaAs PHEMT
MRFG35010MT1
CASE 466-02, STYLE 1
PLD-1.5
PLASTIC
REV 2
F
Freescale Semiconductor, Inc.
For More Information On This Product,
Go to: www.freescale.com
n
.
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