參數(shù)資料
型號(hào)： MRF7S21170HR3
廠商： 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管N溝道增強(qiáng)型MOSFET的外側(cè)
文件頁(yè)數(shù)： 5/13頁(yè)
文件大小： 444K
代理商： MRF7S21170HR3
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Figure 2. MRF7S21170HR3(HSR3) Test Circuit Component Layout
MRF7S21170H
Rev 0
C
C13
R2
R1
C1
C2
R3
C4
C3
C5
C6
C7
C9
C11
C14
C15
C16
C18
C17
C10 C12
C8
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PDF描述
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