參數資料
型號： MRF7S21170HR3
廠商： 飛思卡爾半導體(中國)有限公司
英文描述： RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
中文描述： 射頻功率場效應晶體管N溝道增強型MOSFET的外側
文件頁數： 10/13頁
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代理商： MRF7S21170HR3
10
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF7S21170HR3 MRF7S21170HSR3
ALTERNATIVE PEAK TUNE LOAD PULL CHARACTERISTICS
36
P3dB = 53.56 dBm (226 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1400 m, Pulsed CW
12
μ
sec(on), 10% Duty Cycle, f = 2140 MHz
56
54
52
37
39
38
41
40
44
42
Actual
Ideal
P1dB = 52.75 dBm
(188 W)
57
55
51
43
P
o
,
P6dB = 53.89 dBm (244 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
35
34
33
32
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
4.43 - j11.85
0.81 - j2.87
Figure 17. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
36
P3dB = 54.65 dBm (290 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
V
DD
= 32 Vdc, I
DQ
= 1400 mA, Pulsed CW
12
μ
sec(on), 10% Duty Cycle, f = 2140 MHz
56
54
52
37
39
38
41
40
44
42
Actual
Ideal
P1dB = 53.54 dBm
(226 W)
57
55
43
P
o
,
P6dB = 54.88 dBm (307 W)
NOTE: Measured in a Peak Tuned Load Pull Fixture
53
58
59
60
61
62
35
34
33
45
Test Impedances per Compression Level
Z
source
Ω
Z
load
Ω
P3dB
4.43 - j11.85
0.72 - j2.87
Figure 18. Pulsed CW Output Power
versus Input Power
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