參數(shù)資料
型號： MRF6S21100HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁數(shù)： 4/15頁
文件大?。?/td> 671K
代理商： MRF6S21100HSR3
12
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
Zo = 5 Ω
Zsource
Zload
f = 1950 MHz
f = 2070 MHz
VDD = 28 Vdc, IDQ = 800 mA
f
MHz
Zsource
W
Zload
W
1950
1.04 - j4.28
1.38 - j3.90
1960
1.07 - j4.31
1.41 - j3.92
1970
0.96 - j4.13
1.29 - j3.71
1980
0.82 - j3.71
1.12 - j3.34
1990
0.79 - j3.34
1.07 - j2.96
2000
0.82 - j3.15
1.08 - j2.75
2010
0.88 - j3.16
1.12 - j2.76
2020
0.84 - j3.30
1.11 - j2.86
2030
0.83 - j3.47
1.12 - j3.01
2040
0.91 - j3.71
1.22 - j3.20
2050
0.91 - j3.90
1.25 - j3.34
2060
0.81 - j3.81
1.15 - j3.27
2070
0.76 - j3.45
1.09 - j2.92
Zsource = Device input impedance as measured from
gate to ground.
Zload = Test circuit impedance as measured
from drain to ground.
Figure 22. Series Equivalent Source and Load Impedance — TD-SCDMA
Z source
Z load
Input
Matching
Network
Device
Under
Test
Output
Matching
Network
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PDF描述
MRF6S21100NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
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MRF6S23100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S23140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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