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參數(shù)資料
| 型號： | MRF6S21100HSR3 |
| 廠商： | FREESCALE SEMICONDUCTOR INC |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET |
| 封裝： | ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN |
| 文件頁數(shù)： | 12/15頁 |
| 文件大小： | 671K |
| 代理商： | MRF6S21100HSR3 |
6
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
,
100
60
20
0.1
3rd Order
TWO TONE SPACING (MHz)
Figure 7. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
VDD = 28 Vdc, Pout = 100 W (PEP), IDQ = 950 mA
Two Tone Measurements
(f1 + f2)/2 = Center Frequency of 2140 MHz
5th Order
7th Order
25
30
35
40
45
50
55
10
1
42
44
56
28
Actual
P1dB = 50.9 dBm (123 W)
Ideal
Pin, INPUT POWER (dBm)
Figure 8. Pulsed CW Output Power versus
Input Power
P out
,
OUTPUT
POWER
(dBm)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 950 mA
Pulsed CW, 8
μsec(on), 1 msec(off)
f = 2140 MHz
P3dB = 51.5 dBm (141 W)
54
52
50
48
46
40
38
36
30
32
34
100
0
50
0.4
60
10
Gps
ACPR
IM3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
Figure 9. 2-Carrier W-CDMA ACPR, IM3,
Power Gain and Drain Efficiency
versus Output Power
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc, IDQ = 950 mA
f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
2 Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
40
20
30
20
40
10
50
10
1
200
6
18
1
0
60
Gps
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 10. Power Gain and Drain Efficiency
versus CW Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc
IDQ = 950 mA
f = 2140 MHz
16
50
14
40
12
30
10
20
810
10
100
180
12
17
0
VDD = 24 V
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 11. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IDQ = 950 mA, f = 2140 MHz
28 V
32 V
16
15
14
13
20
40
60
80
100
120
140
160
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
η
D
η
D
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
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