參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21100HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 3/15頁(yè)
文件大?。?/td> 671K
代理商： MRF6S21100HSR3
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
60
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
30
18
35
15
40
9
03
9
6
55
Figure 18. 3-Carrier TD-SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
AL
T/ACPR
(dBc)
45
50
1
3
Adj U
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
3 Carrier TDSCDMA
VDD = 28 V, IDQ = 800 mA
f = 2017.5 MHz
AltU
AltL
26
45
7
8
12
Adj L
60
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
30
18
35
15
12
0.5
9
50
Figure 19. 6-Carrier TD-SCDMA ACPR, ALT and
Drain Efficiency versus Output Power
40
45
1.5
6
Adj L
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
6 Carrier TDSCDMA
VDD = 28 V, IDQ = 800 mA
f = 2017.5 MHz
AltU
AltL
AL
T/ACPR
(dBc)
Adj U
2.5
3.5
4.5
5.5
6.5
7.5
55
3
TD-SCDMA TEST SIGNAL
80
130
30
(dBm)
40
50
60
70
90
100
110
120
1.5 MHz
Center 2.0175 GHz
Span 15 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 20. 3-Carrier TD-SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
80
130
30
(dBm)
40
50
60
70
90
100
110
120
2.5 MHz
Center 2.0175 GHz
Span 25 MHz
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 21. 6-Carrier TD-SCDMA Spectrum
1.28 MHz
Channel BW
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
VBW = 300 kHz
Sweep Time = 200 ms
RBW = 30 kHz
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
ALT1 in
1.28 MHz BW
1.6 MHz Offset
+ALT2 in
1.28 MHz BW
+3.2 MHz Offset
+ALT1 in
1.28 MHz BW
+1.6 MHz Offset
ALT1 in
1.28 MHz BW
1.6 MHz Offset
ALT2 in
1.28 MHz BW
3.2 MHz Offset
ALT2 in
1.28 MHz BW
3.2 MHz Offset
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21100NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S21140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S21190HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S23100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S23140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF6S21100HSR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV6 23W W-CDMA RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21100MBR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO272-4 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S21100MR1 功能描述:MOSFET RF N-CH 28V 23W TO270-4 RoHS:否 類(lèi)別:分離式半導(dǎo)體產(chǎn)品 >> RF FET 系列:- 產(chǎn)品目錄繪圖:MOSFET SOT-23-3 Pkg 標(biāo)準(zhǔn)包裝:3,000 系列:- 晶體管類(lèi)型:N 通道 JFET 頻率:- 增益:- 電壓 - 測(cè)試:- 額定電流:30mA 噪音數(shù)據(jù):- 電流 - 測(cè)試:- 功率 - 輸出:- 電壓 - 額定:25V 封裝/外殼:TO-236-3，SC-59，SOT-23-3 供應(yīng)商設(shè)備封裝:SOT-23-3（TO-236） 包裝:帶卷 (TR) 產(chǎn)品目錄頁(yè)面:1558 (CN2011-ZH PDF) 其它名稱(chēng):MMBFJ309LT1GOSMMBFJ309LT1GOS-NDMMBFJ309LT1GOSTR
MRF6S21100NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 23W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF6S21100NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 2170MHZ 23W RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*