參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6S21100HSR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-780S, CASE 465A-06, 2 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 11/15頁(yè)
文件大?。?/td> 671K
代理商： MRF6S21100HSR3
MRF6S21100HR3 MRF6S21100HSR3
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
2200
15
16.2
2080
44
28
IRL
Gps
ACPR L
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout = 23 Watts Avg.
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
3.84 MHz Channel Bandwidth
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
40
10
20
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
30
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
16
27
15.8
36
15.6
38
15.4
40
15.2
42
2100
2120
2140
2160
2180
VDD = 28 Vdc
Pout = 23 W (Avg.)
IDQ = 950 mA
2 Carrier WCDMA
10 MHz Carrier Spacing
η
D
2200
14.4
15.6
2080
30
44
IRL
Gps
ACPR U
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance @ Pout = 55 Watts Avg.
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
PAR = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
40
10
20
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
IM3
(dBc),
ACPR
(dBc)
30
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
15.4
42
15.2
40
15
24
14.8
26
14.6
28
2100
2120
2140
2160
2180
VDD = 28 Vdc
Pout = 55 W (Avg.)
IDQ = 950 mA
2 Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
300
13.5
17.5
1
IDQ = 1450 mA
1200 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
450 mA
700 mA
950 mA
17
16.5
16
15.5
15
14.5
14
100
10
100
55
20
1
IDQ = 450 mA
700 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
VDD = 28 Vdc, f1 = 2135 MHz, f2 = 2145 MHz
Two Tone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
950 mA
1450 mA
1200 mA
25
30
35
40
45
50
10
INTERMODULA
TION
DIST
ORTION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
IM3 U
IM3 L
ACPR U
ACPR L
IM3 U
IM3 L
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6S21100NBR1 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S21140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S21190HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S23100HR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S23140HSR3 S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
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