參數(shù)資料
型號(hào)： MRF6P3300HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 8/24頁
文件大小： 993K
代理商： MRF6P3300HR3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
16
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
TYPICAL DVB-T OFDM BROADBAND CHARACTERISTICS
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
Figure 37. Single-Carrier OFDM Broadband
Performance @ 60 Watts Avg.
18
-58
f, FREQUENCY (MHz)
30
-52
24
20
-53
-54
-57
400
-56
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%),
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
Gps
ACPR
28
900
26
22
-55
ηD
500
600
700
800
Figure 38. Single-Carrier DVB-T OFDM Power
Gain versus Output Power
18
24
3
f = 560 MHz
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
23
21
20
100
200
G
ps
,POWER
GAIN
(dB) 22
19
10
660 MHz
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
760 MHz
860 MHz
η
D,
DRAIN
EFFICIENCY
(%)
Figure 39. Single-Carrier DVB-T OFDM Drain
Efficiency versus Output Power
5
45
3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
40
30
25
100
200
35
20
10
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
15
10
f = 660 MHz
560 MHz
760 MHz
860 MHz
ACPR,
ADJACENT
CHANNEL
POWER
RA
TIO
(dBc)
Figure 40. Single-Carrier DVB-T OFDM ACPR
versus Output Power
-65
-45
3
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) AVG.
-50
100
200
-55
10
VDD = 32 Vdc, IDQ = 1600 mA
8K Mode OFDM, 64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
-60
f = 860 MHz
560 MHz
760 MHz
660 MHz
VDD = 32 Vdc, Pout = 60 W (Avg.)
IDQ = 1600 mA, 8K Mode OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation, 5 Symbols
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF6P9220HR3 2 CHANNEL, UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
MRF6S18060MR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF6S18060MBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NBR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF6S18060NR1 L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
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