參數(shù)資料
型號： MRF6P3300HR3
廠商： FREESCALE SEMICONDUCTOR INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： ROHS COMPLIANT, NI-860C3, CASE 375G-04, 4 PIN
文件頁數(shù)： 20/24頁
文件大?。?/td> 993K
代理商： MRF6P3300HR3
AR
C
HIVE
INF
O
RMA
TI
O
N
ARCHIVE
INFORMA
TION
MRF6P3300HR3 MRF6P3300HR5
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL NARROWBAND CHARACTERISTICS
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc)
-25
-10
-20
900
820
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Single-Carrier OFDM Broadband Performance @ 60 Watts Avg.
890
880
870
860
850
840
830
21
20
-65
31
27
-50
-55
-60
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
18.5
18
17.5
17
20.5
19.5
19
29
25
-45
-5
-15
VDD = 32 Vdc, Pout = 60 W (Avg.)
IDQ = 1600 mA, 8K Mode OFDM
64 QAM Data Carrier Modulation
5 Symbols
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL,
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
ACPR
(dBc)
-25
-10
-20
900
820
IRL
Gps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Single-Carrier OFDM Broadband Performance @ 120 Watts Avg.
890
880
870
860
850
840
830
21
20
-53
44
40
-47
-49
-51
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
18.5
18
17.5
17
20.5
19.5
19
42
38
-45
-5
-15
Figure 5. Two-T one Power Gain versus
Output Power
17.5
21.5
5
IDQ = 800 mA
2000 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
21
20
19
100
600
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
18
1600 mA
20.5
19.5
18.5
10
1200 mA
2400 mA
VDD = 32 Vdc
f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz
Two-Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
Figure 6. Third Order Intermodulation Distortion
versus Output Power
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
100
-20
-30
-40
-50
-60
10
INTERMODULA
TION
DIST
OR
TION
(dBc)
IMD,
THIRD
ORDER
-10
IDQ = 2400 mA
800 mA
2000 mA
1200 mA
1600 mA
VDD = 32 Vdc, f1 = 857 MHz, f2 = 863 MHz
Two-Tone Measurements, 6 MHz Tone Spacing
600
VDD = 32 Vdc, Pout = 120 W (Avg.)
IDQ = 1600 mA, 8K Mode OFDM
64 QAM Data Carrier
Modulation, 5 Symbols
5
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PDF描述
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