參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5S9101MR1
廠商： MOTOROLA INC
元件分類(lèi)： 功率晶體管
英文描述： UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
封裝： PLASTIC, CASE 1486-03, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 13/16頁(yè)
文件大?。?/td> 451K
代理商： MRF5S9101MR1
MRF5S9101NR1 MRF5S9101NBR1 MRF5S9101MR1 MRF5S9101MBR1
MOTOROLA RF DEVICE DATA
TYPICAL CHARACTERISTICS - 900 MHz
1020
10
18
860
45
70
60
17
50
16
40
15
30
14
0
13
12
15
11
30
880
900
920
940
960
980
1000
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. Power Gain, Input Return Loss and
Drain Efficiency versus Frequency at 100 W CW
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 700 mA
1020
10
19
860
24
50
45
17
35
16
30
15
14
8
13
12
16
11
20
880
900
920
940
960
980
1000
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
IRL
Gps
VDD = 26 Vdc
IDQ = 700 mA
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 4. Power Gain, Input Return Loss and
Drain Efficiency versus Frequency at 40 W CW
18
12
40
1000
14
19
1
IDQ = 1500 mA
1300 mA
Pout, OUTPUT POWER (WATTS)
Figure 5. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 26 Vdc
f = 940 MHz
1100 mA
900 mA
700 mA
500 mA
300 mA
18
17
16
15
10
100
200
14
19
0
Pout, OUTPUT POWER (WATTS) CW
Figure 6. Power Gain versus Output Power
G
ps
,POWER
GAIN
(dB)
VDD = 12 V
16 V
24 V
28 V
32 V
18
17
16
15
20
40
60
80
100
120
140
160
180
20 V
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
INPUT
RETURN
LOSS
(dB)
IRL,
η
D
,DRAIN
EFFICIENCY
(%)
ηD
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5S9101NR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270AA
MRF5S9101NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9101MR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-270
MRF5S9101MBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
MRF5S9101NBR1 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET, TO-272
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5S9101N 制造商:-- 功能描述:MOSFET Transistor, N-Channel, TO-270
MRF5S9101NBR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9101NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 100W 900MHZ26V RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HR3 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 900MHZ 150W NI780H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5S9150HR3_09 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
發(fā)布緊急采購(gòu)，3分鐘左右您將得到回復(fù)。

采購(gòu)需求

(若只采購(gòu)一條型號(hào)，填寫(xiě)一行即可)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

發(fā)布成功！您可以繼續(xù)發(fā)布采購(gòu)。也可以進(jìn)入我的后臺(tái)，查看報(bào)價(jià)

*型號(hào) *數(shù)量 廠商 批號(hào) 封裝
添加更多采購(gòu)

我的聯(lián)系方式

*
*
*