參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5P20180R6
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 375D-04, NI-1230, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 8/12頁(yè)
文件大小： 365K
代理商： MRF5P20180R6
8
RF Device Data
Freescale Semiconductor
MRF5P20180HR6
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P20180 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21045NR1 RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19090HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130HR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5P21045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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