參數(shù)資料
型號： MRF5P20180R6
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 375D-04, NI-1230, 4 PIN
文件頁數(shù)： 11/12頁
文件大小： 365K
代理商： MRF5P20180R6
MRF5P20180HR6
11
RF Device Data
Freescale Semiconductor
PACKAGE DIMENSIONS
CASE 375D-05
ISSUE D
NI-1230
NOTES:
1. INTERPRET DIMENSIONS AND TOLERANCES
PER ASME Y14.5M1994.
2. CONTROLLING DIMENSION: INCH.
3. DIMENSION H IS MEASURED 0.030 (0.762) AWAY
FROM PACKAGE BODY.
4. RECOMMENDED BOLT CENTER DIMENSION OF
1.52 (38.61) BASED ON M3 SCREW.
STYLE 1:
PIN 1. DRAIN
2. DRAIN
3. GATE
4. GATE
5. SOURCE
DIM
A
B
C
D
E
F
G
H
K
L
M
MIN
1.615
0.395
0.150
0.455
0.062
0.004
1.400 BSC
0.082
0.117
0.540 BSC
1.219
MAX
1.625
0.405
0.200
0.465
0.066
0.007
MIN
41.02
10.03
3.81
11.56
1.57
0.10
35.56 BSC
2.08
2.97
13.72 BSC
30.96
MAX
41.28
10.29
5.08
11.81
1.68
0.18
MILLIMETERS
INCHES
0.090
0.137
2.29
3.48
N
Q
R
S
1.218
0.120
0.355
0.365
0.013 REF
0.010 REF
0.020 REF
1.242
0.130
0.365
0.375
30.94
3.05
9.01
9.27
31.55
3.30
9.27
9.53
A
G
L
D
K
4X
Q
2X
1
2
4
3
1.241
31.52
aaa
bbb
ccc
0.33 REF
0.25 REF
0.51 REF
SEATING
PLANE
N
C
E
M
M
A
M
aaa
B
M
T
B
B
(FLANGE)
H
F
M
A
M
ccc
B
M
T
R
(LID)
S
(INSULATOR)
M
A
M
bbb
B
M
T
4X
A
T
M
A
M
bbb
B
M
T
(INSULATOR)
M
A
M
ccc
B
M
T
(LID)
PIN 5
M
A
M
bbb
B
M
T
4
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P20180 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21045NR1 RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19090HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130HR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5P21045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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