參數(shù)資料
型號(hào)： MRF5P20180R6
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
中文描述： 2 CHANNEL, L BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： CASE 375D-04, NI-1230, 4 PIN
文件頁(yè)數(shù)： 5/12頁(yè)
文件大?。?/td> 365K
代理商： MRF5P20180R6
MRF5P20180HR6
5
RF Device Data
Freescale Semiconductor
TYPICAL CHARACTERISTICS
η
D
2080
5
1840
15
45
40
IRL
G
ps
ACPR
f, FREQUENCY (MHz)
Figure 3. 2-Carrier W-CDMA Broadband Performance
Gp
35
10
15
20
25
I
I
I
30
IM3
2Carrier WCDMA, 10 MHz Carrier Spacing
3.84 MHz Channel Bandwidth
Peak/Avg. = 8.5 dB @ 0.01% Probability (CCDF)
14
35
13
30
12
25
11
20
10
20
9
25
8
30
7
35
6
40
1860 1880 1900 1920 1940 1960 1980 2000 2020 2040 2060
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 38 W (Avg.), I
DQ
= 1600 mA
1000
11
16
1
I
DQ
= 2400 mA
800 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 4. Two-Tone Power Gain versus
Output Power
Gp
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
10
100
15.5
15
14.5
14
13.5
13
12.5
12
11.5
2000 mA
1200 mA
1600 mA
1000
60
20
1
I
DQ
= 800 mA
2400 mA
P
out
, OUTPUT POWER (WATTS) PEP
Figure 5. Third Order Intermodulation
Distortion versus Output Power
V
DD
= 28 Vdc
f1 = 1955 MHz, f2 = 1965 MHz
TwoTone Measurements, 10 MHz Tone Spacing
1600 mA
1200 mA
2000 mA
10
100
25
30
35
40
45
50
55
100
60
20
0.1
7th Order
TWOTONE SPACING (MHz)
Figure 6. Intermodulation Distortion Products
versus Tone Spacing
V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 180 W (PEP), I
DQ
= 1600 mA
TwoTone Measurements, Center Frequency = 1960 MHz
5th Order
3rd Order
I
I
25
30
35
40
45
50
55
1
10
46
44
58
57
56
55
54
53
52
51
50
49
48
47
46
45
30
P1dB = 53.5 dBm (224 W)
P
in
, INPUT POWER (dBm)
Figure 7. Pulse CW Output Power versus
Input Power
Po
V
DD
= 28 Vdc, I
DQ
= 1600 mA
Pulsed CW, 5
μ
sec(on), 1 msec(off)
Center Frequency = 1960 MHz
44
42
40
38
36
34
32
P3dB = 54 dBm (251 W)
Actual
Ideal
η
D
,
E
I
I
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF5P20180 RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTOR
MRF5P21045NR1 RF Power Field-Effect Transistor N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFET
MRF5S19060MBR1 RF Power Field Effect Transistors
MRF5S19090HR3 RF Power Field Effect Transistors N-Channel Enhancement-Mode Lateral MOSFETs
MRF5S19130HR3 Suitable for TDMA, CDMA and multicarrier amplifier applications.
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF5P21045NR1 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 2170MHZ 10W TO270WB4 RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF5P21180HR5 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6 功能描述:射頻MOSFET電源晶體管 HV5 38W WCDMA NI1230H RoHS:否 制造商:Freescale Semiconductor 配置:Single 晶體管極性: 頻率:1800 MHz to 2000 MHz 增益:27 dB 輸出功率:100 W 汲極/源極擊穿電壓: 漏極連續(xù)電流: 閘/源擊穿電壓: 最大工作溫度: 封裝 / 箱體:NI-780-4 封裝:Tray
MRF5P21180HR6_08 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
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