參數(shù)資料
型號: MRF21125S
廠商: MOTOROLA INC
元件分類: 功率晶體管
英文描述: RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述: S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝: NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN
文件頁數(shù): 8/12頁
文件大?。?/td> 381K
代理商: MRF21125S
MRF21125 MRF21125S MRF21125SR3
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MOTOROLA RF DEVICE DATA
NOTES
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF255PHT RF Power Field-Effect Transistor
MRF255 N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET
MRF275L RF MOSFET(射頻MOS場效應管)
MRF282SR1 RF MOSFET(射頻MOS場效應管)
MRF282ZR1 RF MOSFET(射頻MOS場效應管)
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù)
參數(shù)描述
MRF21125SR3 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistors
MRF21180 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF21180R6 制造商:MOTOROLA 制造商全稱:Motorola, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF21180R6_06 制造商:FREESCALE 制造商全稱:Freescale Semiconductor, Inc 功能描述:RF Power Field Effect Transistor
MRF212 功能描述:射頻放大器 RF Bipolar Trans RoHS:否 制造商:Skyworks Solutions, Inc. 類型:Low Noise Amplifier 工作頻率:2.3 GHz to 2.8 GHz P1dB:18.5 dBm 輸出截獲點:37.5 dBm 功率增益類型:32 dB 噪聲系數(shù):0.85 dB 工作電源電壓:5 V 電源電流:125 mA 測試頻率:2.6 GHz 最大工作溫度:+ 85 C 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:QFN-16 封裝:Reel