參數(shù)資料
型號： MRF21125S
廠商： MOTOROLA INC
元件分類： 功率晶體管
英文描述： RF POWER FIELD EFFECT TRANSISTORS
中文描述： S BAND, Si, N-CHANNEL, RF POWER, MOSFET
封裝： NI-880S, CASE 465C-02, 3 PIN
文件頁數(shù)： 3/12頁
文件大?。?/td> 381K
代理商： MRF21125S
3
MRF21125 MRF21125S MRF21125SR3
MOTOROLA RF DEVICE DATA
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
—
continued
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
Characteristic
Unit
Max
Typ
Min
Symbol
TYPICAL TWO
–
TONE PERFORMANCE
(In Motorola Test Fixture)
Common
–
Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
G
ps
—
12
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
η
—
34
—
%
Intermodulation Distortion
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W PEP, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 2110 MHz,
f2 = 2120 MHz and f1 = 2160 MHz, f2 = 2170 MHz)
IMD
—
–
30
—
dBc
TYPICAL CW PERFORMANCE
Common
–
Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W CW, I
DQ
= 1600 mA, f1 = 2170.0 MHz)
G
ps
—
11.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 125 W CW, I
DQ
= 1600 mA, f = 2170.0 MHz)
η
—
46
—
%
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MRF255PHT RF Power Field-Effect Transistor
MRF255 N-CHANNEL BROADBAND RF POWER FET
MRF275L RF MOSFET(射頻MOS場效應(yīng)管)
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參數(shù)描述
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