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參數(shù)資料
| 型號(hào)： | MRF21120R6 |
| 廠商： | 飛思卡爾半導(dǎo)體(中國(guó))有限公司 |
| 英文描述： | RF Power Field Effect Transistor |
| 中文描述： | RF功率場(chǎng)效應(yīng)晶體管 |
| 文件頁數(shù)： | 3/12頁 |
| 文件大?。?/td> | 364K |
| 代理商： | MRF21120R6 |
MRF21120R6
3
RF Device Data
Freescale Semiconductor
Table 4. Electrical Characteristics
(T
C
= 25
°
C unless otherwise noted)
(continued)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Functional Tests
(In Freescale Test Fixture, 50 ohm system)
(1)
(continued)
Power Output, 1 dB Compression Point
(V
DD
= 28 Vdc, CW, I
DQ
= 1000 mA, f1 = 2170.0 MHz)
Common-Source Amplifier Power Gain
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 120 W CW, I
DQ
= 1000 mA,
f1 = 2170.0 MHz)
P1dB
—
120
—
W
G
ps
—
10.5
—
dB
Drain Efficiency
(V
DD
= 28 Vdc, P
out
= 120 W CW, I
DQ
= 1000 mA,
f1 = 2170.0 MHz)
η
—
42
—
%
1. Device measured in push-pull configuration.
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