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參數(shù)資料
| 型號： | MPQ3725 |
| 廠商： | ON SEMICONDUCTOR |
| 元件分類： | 功率晶體管 |
| 英文描述： | 1 A, 40 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| 封裝： | PLASTIC, DIP-14 |
| 文件頁數(shù)： | 23/35頁 |
| 文件大?。?/td> | 353K |
| 代理商： | MPQ3725 |
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MPQ3725
2–484
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Figure 2. Active–Region Safe Operating Area
3.0
VCE, COLLECTOR–EMITTER VOLTAGE (VOLTS)
2.0
1.0
0.2
0.3
0.1
I C
,COLLECT
OR
CURRENT
(AMP)
0.05
0.03
0.02
10
4.0
6.0
20
40
60
8.0
0.5
30
SECOND BREAKDOWN LIMITED
THERMAL LIMITATION @ TC = 25°C
PULSE DUTY CYCLE
≤ 10%
APPLICABLE TO RATED BVCEO
dc
10
ms
TJ = 200°C
TYPICAL DC CHARACTERISTICS
Figure 3. DC Current Gain
Figure 4. “ON” Voltages
Figure 5. Collector Saturation Region
Figure 6. Temperature Coefficients
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1000
10
0.8
0.4
0.2
0
100
500
0.5
IB, BASE CURRENT (mA)
1.0
0.8
0.6
0.4
0.2
0
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
10
+2.5
+1.5
+0.5
–0.5
–1.5
–2.5
20
200
V
,VOL
TAGE
(VOL
TS)
500
20
50
100
200
0.6
1.0
1.2
2.0
5.0
10
20
50
30
100
200
500
300
IC, COLLECTOR CURRENT (mA)
1000
10
100
60
40
20
h
500
20
50
100
200
80
200
400
1.4
,DC
CURRENT
GAIN
FE
1.0
q
V
,TEMPERA
TURE
COEFFICIENT
(mV/
C)
°
V
CE
,COLLECT
OR–EMITTER
VOL
TAGE
(VOL
TS)
1000
0
–1.0
–2.0
+2.0
+1.0
VCE = 1.0 V
TJ = 125°C
25
°C
–55
°C
TJ = 25°C
VBE(sat) @ IC/IB = 10
VCE(sat) @ IC/IB = 10
*
qVC FOR VCE(sat)
*APPLIES FOR IC/IB < hFE/2
qVB FOR VBE
TJ = 25°C
IC = 100 mA
300 mA
500 mA
800 mA
1000 mA
相關(guān)PDF資料 |
PDF描述 |
|---|---|
| MPQ3762 | 1.5 A, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ3798 | 50 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ3906 | 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ6001 | 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
| MPQ6002 | 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116 |
相關(guān)代理商/技術(shù)參數(shù) |
參數(shù)描述 |
|---|---|
| MPQ3725A | 功能描述:兩極晶體管 - BJT NPN Quad Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風(fēng)格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2 |
| MPQ3762 | 制造商:Motorola Inc 功能描述: |
| MPQ3798 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON QUAD TRANSISTOR |
| MPQ3799 | 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON QUAD TRANSISTOR |
| MPQ3904 | 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:MPQ Series 40 V 200 mA NPN Through Hole Silicon Quad Transistor - TO-116 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:MPQ Series 40 V 200 mA NPN Through Hole Silicon Quad Transistor - TO-116 |
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