參數(shù)資料
型號： MPQ3798
廠商： ON SEMICONDUCTOR
元件分類： 小信號晶體管
英文描述： 50 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
封裝： PLASTIC, DIP-14
文件頁數(shù)： 1/34頁
文件大?。?/td> 312K
代理商： MPQ3798
2–489
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data
Quad Amplifier Transistors
PNP Silicon
MAXIMUM RATINGS
Rating
Symbol
MPQ3798
MPQ3799
Unit
Collector – Emitter Voltage
VCEO
–40
–60
Vdc
Collector – Base Voltage
VCBO
–60
Vdc
Emitter – Base Voltage
VEBO
–5.0
Vdc
Collector Current — Continuous
IC
–50
mAdc
Each
Transistor
Four
Transistors
Equal Power
Total Device Dissipation
@ TA = 25°C(1)
Derate above 25
°C
PD
0.5
4.0
0.9
7.2
Watts
mW/
°C
Total Device Dissipation
@ TC = 25°C
Derate above 25
°C
PD
0.825
6.7
2.4
19.2
Watts
m/
°C
Operating and Storage Junction
Temperature Range
TJ, Tstg
–55 to +150
°C
THERMAL CHARACTERISTICS
Characteristic
RqJC
Junction
to Case
RqJA
Junction
to Ambient
Unit
Thermal Resistance
Each Die
Effective, 4 Die
151
52
250
139
°C/W
Coupling Factors
Q1–Q4 or Q2–Q3
Q1–Q2 or Q3–Q4
34
2.0
70
26
%
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TA = 25°C unless otherwise noted)
Characteristic
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
OFF CHARACTERISTICS
Collector – Emitter Breakdown Voltage(2)
(IC = –10 mAdc, IB = 0)
MPQ3798
MPQ3799
V(BR)CEO
–40
–60
—
Vdc
Collector – Base Breakdown Voltage
(IC = –10 mAdc, IE = 0)
V(BR)CBO
–60
—
Vdc
Emitter – Base Breakdown Voltage
(IE = –10 mAdc, IC = 0)
V(BR)EBO
–5.0
—
Vdc
Collector Cutoff Current
(VCB = –50 Vdc, IE = 0)
ICBO
—
–10
nAdc
Emitter Cutoff Current
(VEB = –3.0 Vdc, IC = 0)
IEBO
—
–20
nAdc
1. Second breakdown occurs at power levels greater than 3 times the power dissipation rating.
2. Pulse Test: Pulse Width
v 300 ms; Duty Cycle v 2.0%.
Preferred devices are Motorola recommended choices for future use and best overall value.
MOTOROLA
SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA
MPQ3798
MPQ3799
*Motorola Preferred Device
CASE 646–06, STYLE 1
TO–116
1
14
*
1
2
3
4
567
14
13
12
11
10
9
8
PNP
相關(guān)PDF資料
PDF描述
MPQ3906 200 mA, 40 V, 4 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
MPQ6001 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ6002 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ6502 0.5 A, 30 V, 4 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, POWER TRANSISTOR, TO-116
MPQ6426 500 mA, 30 V, 4 CHANNEL, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-116
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參數(shù)描述
MPQ3799 制造商:CENTRAL 制造商全稱:Central Semiconductor Corp 功能描述:PNP SILICON QUAD TRANSISTOR
MPQ3904 制造商:Central Semiconductor Corp 功能描述:MPQ Series 40 V 200 mA NPN Through Hole Silicon Quad Transistor - TO-116 制造商:CENTRAL SEMICONDUCTOR 功能描述:MPQ Series 40 V 200 mA NPN Through Hole Silicon Quad Transistor - TO-116
MPQ3906 功能描述:兩極晶體管 - BJT PNP Quad Transistor RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 配置: 晶體管極性:PNP 集電極—基極電壓 VCBO: 集電極—發(fā)射極最大電壓 VCEO:- 40 V 發(fā)射極 - 基極電壓 VEBO:- 6 V 集電極—射極飽和電壓: 最大直流電集電極電流: 增益帶寬產(chǎn)品fT: 直流集電極/Base Gain hfe Min:100 A 最大工作溫度: 安裝風格:SMD/SMT 封裝 / 箱體:PowerFLAT 2 x 2
MPQ4420HGJ-AEC1-P 功能描述:Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8 制造商:monolithic power systems inc. 系列:汽車級，AEC-Q100 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 功能:降壓 輸出配置:正 拓撲:降壓 輸出類型:可調(diào)式 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:4V 電壓 - 輸入（最大值）:36V 電壓 - 輸出（最小值/固定）:0.8V 電壓 - 輸出（最大值）:32.4V 電流 - 輸出:2A 頻率 - 開關(guān):410kHz 同步整流器:是 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-8 薄型，TSOT-23-8 供應(yīng)商器件封裝:TSOT-23-8 標準包裝:1
MPQ4420HGJ-P 功能描述:Buck Switching Regulator IC Positive Adjustable 0.8V 1 Output 2A SOT-23-8 Thin, TSOT-23-8 制造商:monolithic power systems inc. 系列:- 包裝:剪切帶（CT） 零件狀態(tài):有效 功能:降壓 輸出配置:正 拓撲:降壓 輸出類型:可調(diào)式 輸出數(shù):1 電壓 - 輸入（最小值）:4V 電壓 - 輸入（最大值）:36V 電壓 - 輸出（最小值/固定）:0.8V 電壓 - 輸出（最大值）:32.4V 電流 - 輸出:2A 頻率 - 開關(guān):410kHz 同步整流器:是 工作溫度:-40°C ~ 125°C （TJ） 安裝類型:表面貼裝 封裝/外殼:SOT-23-8 薄型，TSOT-23-8 供應(yīng)商器件封裝:TSOT-23-8 標準包裝:1
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