參數(shù)資料
型號(hào)： MP6759
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝滋養(yǎng)模塊IGBT的硅?頻道
文件頁(yè)數(shù)： 5/6頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： MP6759
MP6759
2002-11-20
5
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Reverse Bias Area
C
C
R
th
– t
w
Pulse width t
w
(s)
T
R
t
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
Safe Operating Area
C
C
40
0.1
0.1
1
10
100
1000
1
10
100
IC max (pulsed)*
1 s*
100 μs*
DC operation
IC max (continuous)
50 μs*
*: Single nonrepetitive pulse
Tc = 25°C
Curves must be derated linearly
with increase in temperature.
1 ms*
10 ms*
0
0
200
400
600
800
10
20
30
Tj
≤
125°C
VGE = ±15 V
RG = 100
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
0.01
0.03
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
50
100
Tc = 25°C
Diode
IGBT
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