參數(shù)資料
型號(hào)： MP6759
廠商： Toshiba Corporation
英文描述： TOSHIBA GTR Module Silicon N Channel IGBT
中文描述： 東芝滋養(yǎng)模塊IGBT的硅?頻道
文件頁(yè)數(shù)： 4/6頁(yè)
文件大?。?/td> 150K
代理商： MP6759
MP6759
2002-11-20
4
Collector-emitter voltage V
CE
(V)
C – V
CE
C
Collector current I
C
(A)
Gate resistance R
G
(
)
Switching Time – R
G
S
Forward current I
F
(A)
t
rr
, I
rr
– I
F
P
r
R
r
Forward voltage V
F
(V)
I
F
– V
F
F
F
Charge Q
G
(nQ)
V
CE
, V
GE
– Q
G
C
C
5
0.5
Cies
Coes
Cres
Common emitter
VGE = 0 V
f = 1 MHz
Tc = 25°C
1
3
10
30
100
300
1000
10
30
100
300
1000
3000
0.1
0
Irr
trr
Common cathode
di/dt = 100 A/μs
VGE =
10 V
Tc = 25°C
0.3
0.5
1
3
5
10
4
8
12
16
0
Common cathode
VGE = 0 V
0
Tc = 125°C
25
40
0.4
0.8
1.2
1.6
2.0
4
8
12
16
20
100
0.03
1
0.05
0.1
0.3
0.5
1
3
5
10
30
50
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
RG = 100
Tc = 25°C
ton
tr
toff
tf
0.02
0
0
VCE = 0 V
100
200
8
16
24
32
40
4
8
12
16
20
Common emitter
RL = 30
Tc = 25°C
300
Switching Time – I
C
S
0.1
10
30
50
100
300
500
1000
0.3
0.5
1
3
5
Common emitter
VCC = 300 V
VGE = ±15 V
IC = 10 A
Tc = 25°C
ton
tr
toff
tf
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